[實用新型]一種濕法蝕刻裝置有效
| 申請號： | 201420060913.8 | 申請日： | 2014-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN203733767U | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 丁敬秀;陳福成;金滕滕 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濕法 蝕刻 裝置 | ||
1.一種濕法蝕刻裝置，其特征在于，所述濕法蝕刻裝置至少包括：具有環形本體并自轉的晶圓抓取裝置；朝向于所述環形本體的氮氣管路；以及用于收容所述晶圓抓取裝置并供給清洗液的清洗槽；所述環形本體由兩個曲面組成，所述兩個曲面的交接處以轉軸連接，所述環形本體由該轉軸實現開啟或閉合。
2.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述晶圓抓取裝置數量為1～8個。
3.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述曲面為半圓環面。
4.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：還包括與各該晶圓抓取裝置相連用于實現各該晶圓抓取裝置在所述清洗槽內公轉的公轉裝置。
5.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述環形本體的內徑d為100mm～450mm。
6.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述環形本體的環形邊緣高度h為5mm～500mm。
7.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述晶圓抓取裝置與晶圓邊緣接觸位置的材質為耐酸性腐蝕的柔性材質。
8.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述氮氣管路垂直朝向于所述晶圓抓取裝置。
9.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述氮氣管路數量設定為1～10個。
10.根據權利要求1所述的濕法蝕刻裝置，其特征在于：所述清洗槽包括：內槽；包裹于所述內槽外側的外槽；連接在所述外槽上的水泵；與所述水泵相連接的過濾器；以及連接于所述外槽和所述過濾器之間的加熱器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
