[實用新型]應用于微弱熒光測量的雪崩二極管APD的高壓偏置電路

有效

• 申請號: 201420060214.3
• 申請日: 2014-02-10
• 公開（公告）號: CN203798736U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 武曉東;陳忠祥;王策;馬玉婷;裴智果;鐘金鳳;嚴心濤;吳云良
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;H01L31/107
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 曹毅

1.在應用于微弱熒光測量的雪崩二極管APD的高壓偏置電路，包括控制信號單元（1），控制信號調理單元（2）、輸出緩沖單元（4）和反饋單元（5），其特征在于，還包括無溫漂放大單元（3），其中：

所述無溫漂放大單元（3）主要包括兩個互補的PNP型三極管（31）和第一NPN型三極管（33），其中所述PNP型三極管（31）的發射極連接所述第一NPN型三極管（33）的基極。

2.根據權利要求1所述的應用于微弱熒光測量的雪崩二極管APD的高壓偏置電路，其特征在于，所述控制信號單元（1）包括溫度測量芯片（11），所述信號調理單元（2）主要包括加法器（24），所述溫度測量芯片（11）的輸出端通過可調電阻（22）連接所述加法器（24）的反相輸入端，所述加法器（24）的反相輸入端還連接控制信號端Vctrl，所述加法器（24）的輸出端還連接所述PNP型三極管（31）的基極。

3.根據權利要求2所述的應用于微弱熒光測量的雪崩二極管APD的高壓偏置電路，其特征在于，所述可調電阻（22）的值根據雪崩二極管的溫度系數調節，補償隨著溫度變化而引起的雪崩二極管的增益的變化。

4.根據權利要求2所述的應用于微弱熒光測量的雪崩二極管APD的高壓偏置電路，其特征在于，所述輸出緩沖單元（4）包括一個第二NPN型三極管（41），所述第二NPN型三極管（41）的基極連接所述第一NPN型三極管（33）的集電極，所述反饋單元（5）包括分壓電阻（51）和反饋電阻（52），所述反饋電阻（52）的一端連接所述第二NPN型三極管（41）的發射極，另一端分別連接所述加法器（24）的正向輸入端和所述分壓電阻（51），所述分壓電阻（51）的另一端接地。

5.根據權利要求4所述的應用于微弱熒光測量的雪崩二極管APD的高壓偏置電路，其特征在于，所述分壓電阻（51）可由兩個或者多個電阻并聯而成。

6.根據權利要求4所述的應用于微弱熒光測量的雪崩二極管APD的高壓偏置電路，其特征在于，所述反饋電阻（52）可由兩個電阻或多個電阻串聯而成。