[實用新型]一種多層膜結構的多源調控的阻變存儲器

有效

• 申請號: 201420055422.4
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN203800041U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 王守宇;劉衛芳;席曉鵑;王海菊;王旭;郭峰
• 申請（專利權）人: 天津師范大學
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 天津市杰盈專利代理有限公司 12207
• 代理人: 朱紅星

1.一種多層膜結構的多源調控的阻變存儲器，包括鐵電單晶基板（1）、導電下電極（2）、鐵電薄膜層或異質結層（3）、上電極薄膜層（4）、門電極層（5）；其特征在于：導電下電極（2）設于鐵電單晶基板（1）和鐵電薄膜層或異質結層（3）之間，上電極薄膜層（4）設于頂層，門電極層（5）至于最下層。

2.根據權利要求1所述的多層膜結構的多源調控的阻變存儲器，其特征在于：所述的鐵電單晶基板（1）為PMN-PT；所述的導電下電極（2）為La_xSr_1-xMnO₃或La_xCa_1-xMnO₃錳氧化物，其中x的值在0.1-0.2；所述的鐵電薄膜層或異質結層（3）為BaTiO₃或BiFeO₃鐵電薄膜中一種或多層異質結；所述的上電極薄膜層（4）或門電極層（5）是Pt、Au或Al導電薄膜中的一種。

3.根據權利要求1所述的多層膜結構的多源調控的阻變存儲器，其特征在于：所述的鐵電單晶基板（1）的厚度為0.5?mm，導電下電極（2）的厚度為10-50?nm；鐵電薄膜層（3）的厚度為50-300?nm；上電極薄膜層（4）或門電極層（5）的厚度為500?nm。