[實用新型]一種陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201420047787.2
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN203705779U
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 張鋒;曹占鋒;姚琪;谷敬霞
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。高級超維場轉換技術（ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS）通過同一平面內像素間電極產生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在平面方向（平行于基板）產生旋轉轉換，在增大視角的同時提高液晶層的透光效率。

圖1是目前的ADS模式液晶顯示陣列基板的結構示意圖，該陣列基板自下而上分別通過5次掩膜工藝來制作完成，依次是在玻璃基板10上制作公共電極13時的掩膜、制作柵極11和公共電極連接線12時的掩膜、制作有源層和源漏極的掩膜、和制作鈍化層過孔的掩膜、制作像素電極14的掩膜。

目前，公共電極13和柵極11分別采用透明導電金屬氧化物薄膜和金屬材料，通過兩次掩膜工藝來完成，工藝相對復雜，成本較高。

實用新型內容

本實用新型實施例提供一種陣列基板、顯示裝置，以簡化陣列基板的制作工藝，并提高陣列基板的顯示效果。

一種陣列基板，包括：

設置在同一層的柵極和公共電極，或者設置在同一層的源漏極和像素電極，其中，

柵極和公共電極設置在同一層時，所述公共電極與所述柵極使用同一材料制作，且所述公共電極的厚度小于所述柵極的厚度，所述公共電極形成有多個狹縫，所述公共電極的透過率大于30%；

源漏極和像素電極設置在同一層時，所述像素電極與所述源漏極使用同一材料制作，且所述像素電極的厚度小于所述源漏極的厚度，所述像素電極形成有多個狹縫，所述像素電極的透過率大于30%。

由于通過同一材料來制作柵極和公共電極，可以減小工藝難度，公共電極的厚度小于柵極的厚度，保證的公共電極的透過率，并且，可以進一步通過一次雙色調掩膜制作同一層的柵極和公共電極，或通過一次雙色調掩膜制作同一層的源漏極和像素電極，節省一次掩膜，降低了工藝復雜度和工藝成本。

進一步，柵極材料或源漏極材料具體為Al、Cu、Mo、AlNd、Cr、Ti、Ag的單層金屬膜或者多層復合膜，或者具有金屬/介質一維光子晶體結構的復合膜。

較佳的，為獲得較好的透過率，所述柵極材料具體為Ag的單層金屬膜，且

所述柵極的厚度為所述公共電極的厚度為

或者，為獲得較好的透過率，所述柵極材料具體為包括ZnS、Ag、ZnS、Ag的復合膜，其中ZnS、Ag、ZnS、Ag沿著由基板指向復合膜的方向依次設置，且

所述柵極中ZnS、Ag、ZnS、Ag的厚度分別為所述公共電極中僅包括ZnS、Ag、ZnS層，厚度分別為

較佳的，所述公共電極或像素電極的厚度為透過率為30%～90%。

進一步，為減小公共電極和像素電極之間的存儲電容，公共電極和像素電極均形成有多個狹縫，且公共電極的狹縫與像素電極的狹縫平行。

更進一步，為進一步公共電極和像素電極之間的存儲電容，所述公共電極中的狹縫在基板上的投影，與像素電極中的狹縫在基板上的投影不重合。

本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

本實用新型實施例提供一種陣列基板、顯示裝置，像素電極的材質與源漏極相同但厚度小于源漏極的厚度，或公共電極的材質與柵極相同但厚度小于柵極的厚度，在減小工藝難度的基礎上，保證了陣列基板的透過率。

附圖說明

圖1為現有技術中陣列基板結構示意圖；

圖2a和圖2b為本實用新型實施例提供的陣列基板結構示意圖；

圖3a～圖3f為本實用新型實施例提供的陣列基板制造過程示意圖；

圖4為本實用新型實施例提供的Ag膜的最大勢透過率隨膜厚變化的曲線示意圖；

圖5為本實用新型實施例提供的ZnS、Ag、ZnS復合膜層透過率隨膜厚變化的曲線示意圖；

圖6為本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法流程圖之一；

圖7為本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法流程圖之二。

具體實施方式

本實用新型實施例提供一種陣列基板、顯示裝置，像素電極的材質與源漏極相同但厚度小于源漏極的厚度，或公共電極的材質與柵極相同但厚度小于柵極的厚度，在減小工藝難度的基礎上，保證了陣列基板的透過率。