[實用新型]功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板有效
| 申請號： | 201420046331.4 | 申請日： | 2014-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN204045563U | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 蔣靜超 | 申請（專利權）人： | 嘉興斯達半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/15 | 分類號： | H01L23/15;H01L23/498 |
| 代理公司： | 杭州九洲專利事務所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霽明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 半導體 新型 金屬 陶瓷 絕緣 | ||
1.一種功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，它主要由陶瓷基板、第一金屬覆和層和第二金屬覆和層組成，其特征在于其中材料的熱膨脹系數關系是：第一金屬覆和層＞第二金屬覆和層＞陶瓷基板。
2.根據權利要求1所述的功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，其特征在于所述的第一金屬覆和層（6a）選用金屬Cu，第二金屬覆和層（6c）選用Ni/Cu合金，所述的第一金屬覆和層（6a）在蝕刻后的熱膨脹系數＞第二金屬覆和層（6c），并使絕緣基板總體呈向第二金屬覆和層（6c）一側彎曲的狀態。
3.根據權利要求1或2所述的功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，其特征是第一金屬覆和層為金屬Cu；第二金屬覆和層為Ni/Cu合金；所述第一金屬覆和層與第二金屬覆和層是通過高溫燒結使金屬與陶瓷基板間形成共價鍵，上、下金屬覆和層厚度為0.2～0.4mm。
4.根據權利要求3所述的功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，其特征在于所述陶瓷基板是Al2O3、AlN、BeO、ZnO、Si3N4其中之一，陶瓷基板為厚度0.2～0.7mm的均質材料；所述陶瓷基板是最大尺寸為56×56mm的矩形或四周帶有圓角或倒角的矩形；所述第一金屬覆和層各邊尺寸小于陶瓷基板0.5～3.0mm，第二金屬覆和層各邊尺寸小于陶瓷基板0.5～1.0mm。
5.根據權利要求4所述的功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，其特征在于所述第一金屬覆和層上通過蝕刻技術分割至陶瓷層而成為各種獨立的圖形分布以形成電流回路，其分割溝槽寬度為0.5mm～2.0mm。
6.根據權利要求5所述的功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，其特征在于所述的第一金屬覆和層被分割后的獨立圖形區域上焊接有IGBT、MOSFET、Diode中的一種或幾種半導體芯片。
7.根據權利要求6所述的功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，其特征在于所述第一金屬覆和層上還通過釬焊或超聲波焊接方法焊接有銅材的端子。
8.根據權利要求7所述的功率半導體用新型金屬-陶瓷絕緣基板，其特征在于所述第一金屬覆和層上還通過超聲鍵合技術焊接純鋁線或銅線至芯片上并構成電路連接。?
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