[實用新型]一種單模半微盤諧振腔

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420043536.7
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN203734125U
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 周治平;李心白;鄧清中
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01S3/08
• 分類號: H01S3/08
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種單模半微盤諧振腔，包括分別閉合的內、外輪廓線，內、外輪廓線之間為非良導體材料的波導（3），或非良導體材料與金屬結合的表面等離子體波導（3），其特征在于，所述內輪廓線由用于電學連接或機械連接的扇形連接區(qū)域（2），以及實現波導寬度從窄到寬的漸變過渡曲線（1）組成，所述扇形連接區(qū)域（2）的角度小于或等于270度且大于0度。

2.根據權利要求1所述的單模半微盤諧振腔，其特征在于，所述扇形連接區(qū)域（2）為半圓形。

3.根據權利要求1所述的單模半微盤諧振腔，其特征在于，所述外輪廓線為圓形或過渡曲線形。

4.根據權利要求1所述的單模半微盤諧振腔，其特征在于，所述的過渡曲線（1）設有平板波導連接或者側壁光柵連接。

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的單模半微盤諧振腔，其特征在于所述過渡曲線（1）是用于平滑連接的曲線，包括樣條曲線、插值曲線、最小變化曲線、歐拉螺線。

6.一種高速調制器，其特征在于，包含權利要求1至5中任意一項所述的單模半微盤諧振腔，所述單模半微盤諧振腔的波導（3）上制作有PN結，上層為P型硅（5），下層為N型硅（4），在單模半微盤諧振腔的連接區(qū)域（2）連接有電學連接結構，所述的電學連接結構上層為P+型硅（7），中層為本征硅（8），下層為N+型硅（6），在N+型硅（6）上表面以及P+型硅（7）上表面連接有金屬電極（9）。

7.一種高速調制器，其特征在于，包含權利要求1至5中任意一項所述的單模半微盤諧振腔，所述單模半微盤諧振腔的波導（3）上制作有PN結，下層為P型硅（5），上層為N型硅（4），在單模半微盤諧振腔的連接區(qū)域（2）連接有電學連接結構，所述的電學連接結構下層為P+型硅（7），中層為本征硅（8），上層為N+型硅（6），在N+型硅（6）上表面以及P+型硅（7）上表面連接有金屬電極（9）。