[實用新型]平面型功率MOS器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420033813.6
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN203721733U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 殷允超;丁磊
• 申請（專利權）人: 張家港凱思半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209
• 代理人: 張玉平

1.一種平面型功率MOS器件，包括：半導體基板，半導體基板下部為重摻雜的第一導電類型襯底，上部為輕摻雜的第一導電類型漂移區(qū)；半導體基板上設置有由并聯的單胞組成陣列布置的中心區(qū)即單胞區(qū)、位于單胞陣列外圍的終端保護結構，單胞陣列通過導電多晶硅連成一個整體，終端保護結構包括位于內圈的場限環(huán)區(qū)和位于外圍的截止環(huán)區(qū)，場限環(huán)區(qū)中設置有至少一個場限環(huán)，截止環(huán)區(qū)設置有至少一個截止環(huán)。

2.根據權利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述的中心區(qū)在第一導電類型漂移區(qū)上間斷設置有至少一個柵極多晶硅區(qū)，所述的場限環(huán)區(qū)在第一導電類型漂移區(qū)上間斷設置有至少一個場限環(huán)多晶硅區(qū)，所述的柵極多晶硅區(qū)、場限環(huán)多晶硅區(qū)與第一導電類型漂移區(qū)之間設有用于隔離的絕緣柵氧化層；相鄰的柵極多晶硅區(qū)之間、相鄰的場限環(huán)多晶硅區(qū)之間以及相鄰的柵極多晶硅區(qū)與場限環(huán)多晶硅區(qū)之間在第一導電類型漂移區(qū)內分別設置有一個第二導電類型阱；中心區(qū)所對應的第二導電類型阱內設置有兩個第一導電類型注入區(qū)；所述截止環(huán)區(qū)內對應的第二導電類型阱內設置有一個第一導電類型注入區(qū)；第一主面上覆蓋有絕緣介質層，絕緣介質層在兩兩柵極多晶硅區(qū)之間及截止環(huán)區(qū)開設有接觸孔，中心區(qū)的絕緣介質層和接觸孔中淀積有中心區(qū)金屬，形成源極，截止環(huán)區(qū)的絕緣介質層和接觸孔中淀積有截止環(huán)金屬；第二主面上淀積有第二金屬，形成漏極。

3.根據權利要求2所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述的場限環(huán)區(qū)在第一導電類型漂移區(qū)間斷設置有至少兩個場限環(huán)多晶硅區(qū)。