[實用新型]一種LED組件及其應用的LED燈有效
| 申請號: | 201420019500.5 | 申請日: | 2014-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN203686689U | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 李寶泉;徐小良;肖祥 | 申請(專利權)人: | 上海亞明照明有限公司 |
| 主分類號: | F21S2/00 | 分類號: | F21S2/00;F21V25/00;F21V23/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201801 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 組件 及其 應用 | ||
技術領域
本實用新型涉及LED技術領域,尤其涉及一種LED組件及其應用的LED燈。
背景技術
由于發光二極管Light-Emitting?Diode(下稱LED)行業的不斷發展,為了增加LED的傳熱,很多廠商都采用熱電分離技術(焊盤與LED的晶片、金線、支架、電引腳等都是完全絕緣的),從LED角度看傳熱效果實現突破。
LED的熱電分離技術使得LED的陽極、陰極與傳熱部分分別接地,雖然從傳熱方面有一定的提升,不過從電路結構上看,而且要保證傳熱,與傳熱部分連接的印刷電路板(Printed?Circuit?Board)(下稱PCB)部分金屬箔面積相對較大,而且PCB板部分成為孤立的網絡,不與任何網絡相連,這樣金屬箔在電路上被看成為懸浮部分,當有類似靜電等高電壓加到這個網絡,此高電壓無處釋放,這樣將造成LED顆粒不同程度的損傷,產品的不良率上升。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的是提供一種LED組件及其應用的LED燈,用于解決上述現有熱電分離LED的金屬導熱體存在產生高壓致使LED損傷的問題。
為實現上述功能,本實用新型提供一種LED組件,包括:金屬導熱體;設置于所述金屬導熱體的至少一個LED;結合所述金屬導熱體且電連接于所述LED的鋁基板;所述LED的供電引腳之一通過設在所述鋁基板的導線電連接于所述金屬導熱體。
優選的,所述供電引腳是陽極引腳。
優選的,所述供電引腳是陰極引腳。
優選的,所述金屬導熱體為銅、鋁或銅鋁合金材質。
為實現上述功能,本實用新型提供一種LED組件,包括:金屬導熱體;設置于所述金屬導熱體的至少一個LED芯片;結合所述金屬導熱體且電連接于所述LED芯片的鋁基板;所述LED芯片的供電引腳之一通過設在所述鋁基板的導線電連接于所述金屬導熱體。
優選的,所述供電引腳是共陽極引腳。
優選的,所述供電引腳是共陰極引腳。
優選的,所述金屬導熱體為銅、鋁或銅鋁合金材質。
優選的,所述金屬導熱體是散熱銅柱,所述金屬導熱體通過焊接固定至所述鋁基板。
為實現上述功能,本實用新型提供一種LED燈,包括所述的LED組件。
如上所述,本實用新型提供的一種LED組件及其應用的LED燈,通過使LED或LED芯片的供電引腳之一在鋁基板上電連接金屬導熱體,從而降低金屬導熱體和LED芯片的供電引腳之間的電壓,避免由于金屬導熱體上產生如靜電高壓等而造成損傷LED的問題。
附圖說明
圖1顯示為本實用新型的LED組件的一實施例的結構示意圖。
元件標號說明
1??????????LED芯片
11?????????供電引腳
2??????????金屬導熱體
3??????????鋁基板
4??????????導線
5??????????透鏡
6??????????金線
具體實施方式
以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用,本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用,在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
如圖1所示,本實施例中的LED組件,包括:金屬導熱體2;設置于所述金屬導熱體2的至少一個LED芯片1;結合所述金屬導熱體2且電連接于所述LED芯片1的鋁基板3;所述LED芯片1的供電引腳11之一電連接于所述金屬導熱體2,所述電連接可以通過導線4例如形成在所述鋁基板3的銅箔導線連接,在LED芯片1和供電引腳11之間有金線6連接導電;在所述LED芯片1下方可以設置用于粘固LED芯片1至所述鋁基板3的固晶膠(未圖示),在LED芯片1上方套設有例如樹脂膠體材質的透鏡5,所述。本實施例采用了多個LED組成的LED芯片1(或稱芯片),LED芯片的常見種類有:
1、LPE:Liquid?Phase?Epitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP
2、VPE:Vapor?Phase?Epitaxy(氣相磊晶法)GaAsP/GaAs
3、MOVPE:Metal?Organic?Vapor?Phase?Epitaxy(有機金屬氣相磊晶法)AlGaInP、GaN
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