[發明專利]一種液晶顯示器和液晶面板以及陣列基板

有效

• 申請號: 201410856154.0
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104460165A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 陳秋權
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L29/423
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉華聯

技術領域

本發明屬于液晶顯示器技術領域，尤其是一種陣列基板和包括其液晶面板以及包括其的液晶顯示器。

背景技術

在液晶顯示器技術領域中，陣列基板的薄膜晶體管主要分為低溫多晶硅薄膜晶體管和非晶硅薄膜晶體管，由于低溫多晶硅薄膜晶體管的性能優越于非晶硅薄膜晶體管，使得使用多晶硅薄膜晶體管的陣列基板已經逐漸取代了使用非晶硅薄膜晶體管的陣列基板。

然而，由于低溫多晶硅薄膜晶體管的低溫多晶硅層(即半導體活性層)在背光源的光照下會產生光電流，干擾液晶顯示器的顯示效果，因此需要在低溫多晶硅層的下方設置擋光結構，例如能夠遮光的光罩。但是，由于現有的低溫多晶硅薄膜晶體管都需要光罩，由此會使制造工藝變得復雜，影響生產效率。

發明內容

為了解決上述問題，本發明的目的是提供一種陣列基板和包括該陣列基板的液晶面板以及包括該陣列基板的液晶顯示器，其中該陣列基板利用柵極來實現遮光，從而可以省略光罩，簡化制造工藝，提高生產效率。

根據本發明的第一方面，提供了一種陣列基板，其包括多個像素單元。每個像素單元中設置有薄膜晶體管。薄膜晶體管包括從下至上依次堆疊玻璃基板、第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層。在第一絕緣層的上表面上設有能被第二絕緣層覆蓋的第一低溫多晶硅層。第一低溫多晶硅層的兩端分別與形成在第三絕緣層與第二絕緣層之間的第一源極和第一漏極相連。在玻璃基板的上表面上設有能被第一絕緣層覆蓋的第一柵極，同時第一柵極的下表面能夠覆蓋第一低溫多晶硅層在第一柵極的下表面上的正投影。

在一個實施例中，第一柵極的下表面的面積為第一低溫多晶硅層的下表面的面積的1-10倍。

在一個實施例中，第一柵極、第一源極和第一漏極均由金屬材料制成。

在一個實施例中，陣列基板還包括公共電極和像素電極，公共電極和第三絕緣層通過第四絕緣層隔開，像素電極和公共電極通過第五絕緣層隔開，公共電極與第一漏極相連，而像素電極與第一源極相連。

在一個實施例中，薄膜晶體管為NMOS晶體管或PMOS晶體管。

在一個實施例中，薄膜晶體管為CMOS晶體管。

在一個實施例中，CMOS晶體管包括設置在第一絕緣層的上表面上并被第二絕緣層覆蓋的第二低溫多晶硅層，第二低溫多晶硅層的兩端分別與形成在第三絕緣層與第二絕緣層之間的第二源極和第二漏極相連，第二源極和第一漏極相連，而第二漏極與第一源極相連，在玻璃基板的上表面上設有能被第一絕緣層覆蓋的第二柵極，同時第二柵極的下表面能夠覆蓋第二低溫多晶硅層在第二柵極的下表面上的正投影。

根據本發明的第二方面，提供了一種包括根據本發明的第一方面所述的陣列基板的液晶面板。

根據本發明的第三方面，提供了一種包括根據本發明的第一方面所述的陣列基板的液晶顯示器。

本發明的陣列基板把第一柵極設置在第一低溫多晶硅層的下方，以用于遮擋背光源的光照射第一低溫多晶硅層，由此可以有效地防止低溫多晶硅層內產生光電流，從而可以避免干擾液晶顯示器的顯示效果。通過這種方式可以省略光罩以及光罩所的絕緣層，從而可以簡化制造工藝，提高生產效率。

當陣列基板的薄膜晶體管為CMOS晶體管時，第一柵極和第二柵極可分別遮擋背光源的光照射第一和第二低溫多晶硅層，由此可以有效地防止第一和第二低溫多晶硅層內產生光電流，從而可以避免干擾液晶顯示器的顯示效果。通過這種方式可以省略光罩，簡化制造工藝，提高生產效率。

另外，根據本發明的陣列基板的結構簡單，成本低廉，生產效率高，便于實施推廣應用。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發明進行更詳細的描述。其中：

圖1示意性地顯示了根據本發明的陣列基板；以及

圖2示意性地顯示了根據本發明的陣列基板的像素單元。

在附圖中相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例繪制。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明作進一步說明。