[發明專利]一種液晶顯示器和液晶面板以及陣列基板

有效

• 申請號: 201410856154.0
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104460165A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 陳秋權
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L29/423
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉華聯

1.一種陣列基板，包括多個像素單元，每個所述像素單元中設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括從下至上依次堆疊玻璃基板、第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，在所述第一絕緣層的上表面上設有能被所述第二絕緣層覆蓋的第一低溫多晶硅層，所述第一低溫多晶硅層的兩端分別與形成在所述第三絕緣層與第二絕緣層之間的第一源極和第一漏極相連，在所述玻璃基板的上表面上設有能被所述第一絕緣層覆蓋的第一柵極，所述第一柵極的下表面能夠覆蓋所述第一低溫多晶硅層在所述第一柵極的下表面上的正投影。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極的下表面的面積為所述第一低溫多晶硅層的下表面的面積的1-10倍。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極、第一源極和第一漏極均由金屬材料制成。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括公共電極和像素電極，所述公共電極和所述第三絕緣層通過第四絕緣層隔開，所述像素電極和公共電極通過第五絕緣層隔開，所述公共電極與所述第一漏極相連，而所述像素電極與所述第一源極相連。

5.根據權利要求1到4中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為NMOS晶體管或PMOS晶體管。

6.根據權利要求1到4中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為CMOS晶體管。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述CMOS晶體管包括設置在所述第一絕緣層的上表面上并被所述第二絕緣層覆蓋的第二低溫多晶硅層，所述第二低溫多晶硅層的兩端分別與形成在所述第三絕緣層與第二絕緣層之間的第二源極和第二漏極相連，所述第二源極和所述第一漏極相連，而所述第二漏極與所述第一源極相連，在所述玻璃基板的上表面上設有能被所述第一絕緣層覆蓋的第二柵極，所述第二柵極的下表面能夠覆蓋所述第二低溫多晶硅層在所述第二柵極的下表面上的正投影。

8.一種包括權利要求1到7中任一項所述的陣列基板的液晶面板。

9.一種包括權利要求1到7中任一項所述的陣列基板的液晶顯示器。