[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410855038.7
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN105321575B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 樸嘉藍
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;王瑩

1.一種半導體器件，其包括：

第一鎖存塊，其在初始化模式下被初始化；和

第二鎖存塊，其在啟動模式期間，當所述第一鎖存塊響應于啟動模式信號和第一內存庫選擇信號而鎖存第一信號時，響應于所述啟動模式信號和所述第一內存庫選擇信號被初始化。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二鎖存塊在所述啟動模式期間被初始化之后鎖存第二信號。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其進一步包括第三鎖存塊，當所述第二鎖存塊在所述啟動模式期間鎖存所述第二信號時，所述第三鎖存塊被初始化，

其中所述第三鎖存塊在所述啟動模式期間被初始化之后鎖存第三信號。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一至第三信號包括熔絲信號。

5.一種半導體器件，其包括：

第一和第二存儲區域；

第一鎖存塊，其對應于所述第一存儲區域形成，并且在初始化模式期間響應于初始化信號被初始化；和

第二鎖存塊，其對應于所述第二存儲區域形成，并且在啟動模式期間，當所述第一鎖存塊響應于啟動模式信號和第一區域選擇信號而鎖存第一熔絲信號時，響應于所述啟動模式信號和用于選擇所述第一存儲區域的所述第一區域選擇信號被初始化。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其進一步包括熔絲塊，所述熔絲塊適于響應于所述第一區域選擇信號將所述第一熔絲信號傳送至所述第一鎖存塊，并且響應于用于選擇所述第二存儲區域的第二區域選擇信號將第二熔絲信號傳送至所述第二鎖存塊。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一和第二區域選擇信號被順序地啟用。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其進一步包括：

第三至第n存儲區域；和

第三至第n鎖存塊，所述第三至第n鎖存塊分別對應于所述第三至第n存儲區域形成，并且所述第三至第n鎖存塊在所述啟動模式期間響應于所述啟動模式信號和用于選擇第二至第(n-1)存儲區域的第二至第(n-1)區域選擇信號被初始化。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其進一步包括熔絲塊，所述熔絲塊適于針對第一至第n存儲區域的每一個在所述啟動模式期間響應于所述第一至第(n-1)區域選擇信號和用于選擇第n存儲區域的第n區域選擇信號順序地將第一至第n熔絲信號傳送至所述第一至第n鎖存塊。

10.一種用于驅動半導體器件的方法，包括：

初始化第一鎖存塊；

當所述第一鎖存塊響應于啟動模式信號和第一內存庫選擇信號而執行啟動操作時，響應于所述啟動模式信號和所述第一內存庫選擇信號來初始化第二鎖存塊；以及

執行所述第二鎖存塊的所述啟動操作。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中所述第一鎖存塊通過鎖存第一熔絲信號執行所述啟動操作，并且

其中執行所述第二鎖存塊的所述啟動操作在所述第二鎖存塊中鎖存第二熔絲信號。

12.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：在所述第一和第二鎖存塊執行所述啟動操作之后順序地執行第三至第n鎖存塊的所述啟動操作，

其中當所述第二至第(n-1)鎖存塊順序地執行所述啟動操作時所述第三至第n鎖存塊被順序地初始化。