[發明專利]硫系玻璃制備方法以及制備裝置在審
| 申請號: | 201410853192.0 | 申請日: | 2014-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN104556633A | 公開(公告)日: | 2015-04-29 |
| 發明(設計)人: | 趙華;劉永華;祖成奎;韓濱;陳江;趙慧峰;王衍行;金揚利;何坤 | 申請(專利權)人: | 中國建筑材料科學研究總院 |
| 主分類號: | C03B5/235 | 分類號: | C03B5/235 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100024*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 制備 方法 以及 裝置 | ||
1.一種硫系玻璃制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
第一步:真空低溫純化,在真空條件下,在第一溫度下對玻璃原料進行純化,去除雜質;第二步:真空高溫熔制,在真空條件下,在第二溫度下使將玻璃原料熔化得到熔融狀態的玻璃液;第三步:漏料成形,將熔融狀態的玻璃液漏出,并成型,得到玻璃成品;所述的真空條件為壓力小于1.0×10-2Pa。
2.根據權利要求1所述的硫系玻璃制備方法,其特征在于,所述的真空低溫純化包括:
將玻璃原料置于熔化爐內,對熔化爐抽真空,使熔化爐內壓力小于5×10-3Pa;加熱,使熔化爐內溫度在200~400℃,保持3h以上。
3.根據權利要求1所述的硫系玻璃制備方法,其特征在于,所述的真空高溫熔制包括:
純化處理原料原位升至高溫熔制溫度800~1000℃,并控制熔化爐內壓力小于1×10-2Pa,在此高溫熔制過程中對玻璃液進行間歇式攪拌,所述的間歇式攪拌工藝為:攪拌10~20min,靜置30~50min,如此重復2~5次。
4.根據權利要求1所述的硫系玻璃制備方法,其特征在于,還包括在所述的高溫熔制之后,靜置0.5~1h;然后進行漏料成形。
5.根據權利要求1~4任一項所述的硫系玻璃的制備方法,其特征在于,所述的硫系玻璃由以下物質組成:
Ge元素和As元素中的一種或兩種,其摩爾百分含量為5~35%;Sb元素,其摩爾百分含量為5~40%;Al元素或Mg元素,其摩爾含量為50~200ppm;余量為Se元素和Te元素中的一種或兩種;上述各物質的摩爾百分含量的總量為100%。
6.根據權利要求5所述的硫系玻璃的制備方法,其特征在于,所述的玻璃原料的純度為5N級。
7.根據權利要求5所述的硫系玻璃的制備方法,其特征在于,所述的方法制備的硫系玻璃在波長為2.9μm、4.1μm、4.5μm、6.3μm處的透過率超過63%,波長12.8μm處透過率超過50%。
8.根據權利要求5所述的硫系玻璃的制備方法,其特征在于,所述成品硫系玻璃尺寸為(100~250)×(100~250)mm。
9.一種硫系玻璃的制備裝置,其特征在于,由真空熔化爐和漏料成形爐兩個部分連通組成,所述的真空熔化爐包括:熔化爐爐體、石英坩堝、加熱元件、升降系統、攪拌裝置、真空系統、進氣口和坩堝壓蓋;其中:
熔化爐爐體,由上下爐蓋和中部爐腔構成,上下爐蓋均可開啟,上蓋用于加料,下蓋用于平時維護;石英坩堝,用于盛放高溫玻璃液,位于下爐蓋上方,所述的石英坩堝側面下部設有一漏料嘴,伸入所述的漏料成形爐體內;坩堝壓蓋,位于坩堝上方,用于防止原料揮發、玻璃液飛濺,由高純石英制成;加熱元件,裝配在中部爐腔壁上,環繞在坩堝四周;升降系統,用于對石英坩堝進行升降操作;攪拌裝置,裝配在上爐蓋,用于對玻璃液進行高溫攪拌,采用高純石英制成;真空系統,由真空管道和多級真空泵構成,真空管道連通于中部爐壁,通過真空泵對封閉爐體抽制真空;進氣口,位于中部爐壁下部,用于向爐腔內充氣。
10.根據權利要求9所述的硫系玻璃的制備裝置,其特征在于,所述的漏料成形爐與所述的熔化爐爐體連通,該漏料成形爐包括:漏料成形爐體、熔制擋板、加熱線圈、漏料成形移動系統、漏料成形模具;其中:
漏料成形爐體,由上下爐蓋和中部爐腔構成,上下爐蓋均可開啟;熔制擋板,設置在所述漏料嘴上,用于打開或者閉合漏料嘴;加熱線圈,設置在所述漏料嘴周圍,用于對漏料嘴加熱;漏料成形移動系統,設置在漏料成形爐體內;和漏料成形模具,設置在所述的漏料成形移動系統上。
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