[發(fā)明專利]基于懸浮電流源增益自舉反相器的開關(guān)電容積分器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410847785.6 | 申請日: | 2014-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN104579296B | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐江濤;王鵬;聶凱明;史再峰;高靜;高志遠(yuǎn);姚素英 | 申請(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號: | H03K19/00 | 分類號: | H03K19/00;H03G3/30 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 劉國威 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開關(guān)電容積分器 采樣電容 采樣階段 積分電容 懸浮電流 電容 反相器 自舉 運(yùn)算放大器 積分階段 積分器 低電 功耗 電路 兩極 應(yīng)用 制造 | ||
1.一種基于懸浮電流源增益自舉反相器的開關(guān)電容積分器,其特征是,積分器分為采樣階段和積分階段,采樣階段電路結(jié)構(gòu)圖由M1-M10十個(gè)MOS管和采樣電容Cs,積分電容CI,上下兩個(gè)保持電容Cc,和一個(gè)開關(guān)S1組成,其中M1、M3、M5、M7、M9為PMOS管,M2、M4、M6、M8、M10為PMOS管,采樣電容Cs、積分電容CI、上下兩個(gè)保持電容Cc都分為兩極A、B;其中M1、M3、M5的源極一起連接供電電源VDD,M2、M4、M6源極一起連接電源地GND;M1的漏極、M3的柵極、M7的源極連接在一起;M3的漏極、M7的柵極和M6的漏極連接在一起;M7的漏極、M1的柵極、上保持電容Cc的B極、開關(guān)S1的輸入端、M9的源極和M10的漏極連在一起;M6的柵極接偏置Vb1;M9的柵極接偏置電壓Vb3;M10的柵極接偏置電壓Vb4;M5的柵極接偏置電壓Vb2;M9的漏極、M10的源級、M8的漏極、M2的柵極、下保持電容Cc的B極和開關(guān)S1的輸出端連在一起;M2的漏極、M4的柵極、M8的源極連接在一起;M4的漏極、M8的柵極和M5的漏極連接在一起;上、下兩個(gè)保持電容Cc的A極和采樣電容Cs的B極連在一起接基準(zhǔn)電壓Vcm,采樣電容的A極連輸入端,開關(guān)S1斷開;
M1-M10管構(gòu)成C類反相器型放大器,Cs為采樣電容,負(fù)責(zé)存儲輸入電壓到基準(zhǔn)電壓Vcm的電壓差,Cc為保持電容,存儲反相器輸入電壓到基準(zhǔn)電壓Vcm的電壓差,此時(shí)運(yùn)放構(gòu)成負(fù)反饋的閉環(huán)工作狀態(tài),晶體管M1、M2為輸入管,由于負(fù)反饋的存在M1、M2被偏置在亞閾值區(qū),而M3與M7,M4與M8分別構(gòu)成電流電壓反饋環(huán)路,M7和M8同時(shí)也被偏置在亞閾值工作狀態(tài);M1與M3與M7構(gòu)成一個(gè)三層共源共柵型放大器,同時(shí)開關(guān)S1斷開,在M7和M8之間加入飽和M9和M10,使其構(gòu)成一個(gè)單向?qū)ǖ膽腋‰娏髟矗?/p>
積分階段電路結(jié)構(gòu)在采樣階段的基礎(chǔ)上將開關(guān)S1閉合,并連入積分電容CI,同時(shí)輸入端連基準(zhǔn)電壓Vcm,在采樣階段連Vcm的節(jié)點(diǎn)與Vcm斷開并連CI的A極,CI的B極與M7的漏極、開關(guān)S1的輸入端、M9的源極和M10的漏極連在一起作為輸出端;
此時(shí)開關(guān)S1閉合使懸浮電流源短路便于輸出,此時(shí)M1-M8管構(gòu)成C類反相器型放大器,Cs為采樣電容,CI為積分電容,在積分階段將輸入接到基準(zhǔn)電壓Vcm,同時(shí)斷開Cs的B極與基準(zhǔn)電壓Vcm的連接。
2.如權(quán)利要求1所述的基于懸浮電流源增益自舉反相器的開關(guān)電容積分器,其特征是,M1和M2管采用高閾值器件,而M3和M4采用低閾值器件,采樣電容和積分電容的比例設(shè)為Cs/CI=1/4,M1、M7管的寬長比應(yīng)為M2、M8對應(yīng)NMOS管寬長比的2-3倍。
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