[發(fā)明專利]單元布局和結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410844399.1
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN105374813B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝東衡;王勝雄;莊惠中;葉育成;蔡宗杰;吳俊毅;李亮峣;丁至剛
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種設(shè)計半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

將第一單元和第二單元放置至第一單元行內(nèi)；

將第三單元和第四單元放置至與所述第一單元行相鄰的第二單元行內(nèi)；

在放置所述第一單元和所述第二單元之后以及在放置所述第三單元和所述第四單元之后，使用微處理器實施后布局處理，其中，實施所述后布局處理還包括：

將所述第一單元中的第一通孔和所述第三單元中的第二通孔合并至第三通孔內(nèi)；以及

在不切斷電連接的情況下從所述第一單元去除第四通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在去除所述第四通孔之前，所述第四通孔將單元邊界導(dǎo)體與接地軌連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述單元邊界導(dǎo)體通過金屬零連接件保持電連接至所述接地軌。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一單元是反相器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二單元是反相器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，處于所述第一單元、所述第二單元、所述第三單元和所述第四單元的交叉處的區(qū)域包括：

所述第一單元的第一漏極區(qū)；

所述第二單元的第一源極區(qū)；

所述第三單元的第二源極區(qū)；以及

所述第四單元的第二漏極區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，處于所述第一單元、所述第二單元、所述第三單元和所述第四單元的交叉處的區(qū)域包括：

所述第一單元的第一源極區(qū)；

所述第二單元的第一漏極區(qū)；

所述第三單元的第二漏極區(qū)；以及

所述第四單元的第三漏極區(qū)，其中，所述第一通孔和所述第二通孔合并至“L”形狀內(nèi)。

8.一種用EDA處理系統(tǒng)設(shè)計半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

從單元庫接收第一單元、第二單元、第三單元和第四單元；

使用微處理器將所述第一單元和所述第二單元放置至第一單元行內(nèi)以及將所述第三單元和所述第四單元放置至第二單元行內(nèi)，其中，所述第一單元、所述第二單元、所述第三單元和所述第四單元的交叉區(qū)域包括第一通孔和第二通孔；

使用所述微處理器將第一掩模層的第一部分放置在所述第一通孔的上方；

使用所述微處理器將第二掩模層的第一部分放置在所述第二通孔的上方；以及

基于所述第一掩模層和所述第二掩模層使用所述微處理器分析所述第一通孔和所述第二通孔，其中，分析所述第一通孔和所述第二通孔還包括確定所述第一通孔是否應(yīng)該與所述第二通孔合并或去除，其中，分析所述第一通孔和所述第二通孔還包括：

圍繞所述第二通孔形成禁區(qū)；以及

確定所述禁區(qū)是否接觸所述第一通孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

將第三掩模層的第一部分放置在所述第一通孔的上方；以及

確定所述第一掩模層和所述第二掩模層是否位于所述第三掩模層內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

在垂直于所述第一單元行的第一方向上擴展所述第二通孔以形成第一擴展區(qū)；以及

在垂直于所述第一單元行并且不同于所述第一方向的第二方向上擴展由所述第二掩模層的第二部分覆蓋的第三通孔以形成第二擴展區(qū)；以及

當(dāng)所述第一擴展區(qū)接觸所述第二擴展區(qū)時合并所述第一通孔和所述第二通孔。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

在垂直于所述第一單元行的第一方向上擴展所述第二通孔以形成第一擴展區(qū)；

在與所述第一單元行平行的第二方向上擴展所述第一通孔以形成第二擴展區(qū)；以及

將所述第二通孔、所述第一通孔、所述第一擴展區(qū)以及所述第二擴展區(qū)合并至第一單個合并通孔內(nèi)。