[發明專利]3軸各向異性磁阻的制備方法在審
| 申請號： | 201410844129.0 | 申請日： | 2014-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN104505460A | 公開（公告）日： | 2015-04-08 |
| 發明（設計）人： | 時延;王健鵬;王俊杰 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 各向異性 磁阻 制備 方法 | ||
1.一種3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供基片，在所述基片中形成多個溝槽；
在所述基片及溝槽的表面形成磁性材料；
進行第一次刻蝕，刻蝕去除所述溝槽底部表面的部分磁性材料，保留位于所述基片及溝槽側壁的磁性材料；
進行第二次刻蝕，對所述基片表面的磁性材料進行刻蝕，形成平面磁阻及垂直磁阻，并在所述平面磁阻與垂直磁阻之間形成間距。
2.如權利要求1所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述第一次刻蝕步驟包括：
在所述磁性材料表面涂覆光阻層；
對所述光阻層進行曝光處理；
對所述光阻層進行顯影處理，形成圖案化的光阻層；
以所述圖案化的光阻層為掩膜，對所述磁性材料進行刻蝕。
3.如權利要求2所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述第一次刻蝕為干法刻蝕。
4.如權利要求1所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述第二次刻蝕步驟包括：
在所述磁性材料及溝槽表面涂覆光阻層；
對所述光阻層進行曝光處理；
對所述光阻層進行顯影處理，形成圖案化的光阻層；
以所述圖案化的光阻層為掩膜，對所述磁性材料進行刻蝕。
5.如權利要求4所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述第二次刻蝕為干法刻蝕。
6.如權利要求1所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述垂直磁阻包括位于所述溝槽側壁的磁性材料及位于基片表面的部分磁性材料，并且兩者相連。
7.如權利要求6所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述間距為所述平面磁阻與所述垂直磁阻中位于基片表面的部分磁性材料之間的距離。
8.如權利要求1所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述磁性材料為鐵鎳合金。
9.如權利要求1所述的3軸各向異性磁阻的制備方法，其特征在于，所述基片的材質為硅。
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