[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410837987.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105789436B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張翼英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有底部電極，在所述底部電極的頂部形成有中間切換媒介層；

沉積并蝕刻側(cè)墻材料層，以在所述中間切換媒介層的兩側(cè)形成側(cè)墻；

在所述中間切換媒介層的頂部形成頂部電極，所述頂部電極、所述中間切換媒介層和所述底部電極構(gòu)成阻變式存儲(chǔ)器單元，

所述底部電極形成于第二絕緣層中，所述側(cè)墻的外側(cè)形成有第三絕緣層，

形成所述頂部電極的步驟包括：沉積第四絕緣層，覆蓋所述中間切換媒介層、所述側(cè)墻和所述第三絕緣層；蝕刻所述第四絕緣層，以形成用于填充所述頂部電極的溝槽；填充所述頂部電極于所述溝槽中，

對(duì)所述第四絕緣層的蝕刻為過(guò)蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底和所述底部電極之間形成有金屬互連層，所述金屬互連層形成于第一絕緣層中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述過(guò)蝕刻的蝕刻劑對(duì)所述第三絕緣層與所述側(cè)墻的蝕刻速率比為3-10。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述中間切換媒介層包括自下而上層疊的第一材料層、第二材料層、第三材料層和第四材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述側(cè)墻材料層的材料為氮化硅、含碳的氮化硅或者含氮的碳化硅，所述側(cè)墻的厚度為100埃-500埃。

6.一種采用權(quán)利要求1-5之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。

7.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件。