[發明專利]鈍化方法

有效

• 申請號: 201410826112.2
• 申請日: 2014-12-25
• 公開（公告）號: CN105374886A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發明（設計）人: 呂維倫;盧俊安;吳志力
• 申請（專利權）人: 臺積太陽能股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/06;H01L31/18;H01L21/473
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種太陽能電池模塊，包括：

襯底；

吸收層，形成在所述襯底上方；

多孔氧化鋁鈍化層，形成在所述吸收層的上表面上；

緩沖層，共形地形成在所述鈍化層上方；以及

透明導電氧化物層，共形地形成在所述緩沖層上方。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，所述吸收層是薄膜 吸收層。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，所述吸收層是CIGS 層。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池模塊，還包括在所述CIGS層的 上表面處形成的Cu(In，Al)Se₂區。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池模塊，其中，所述Cu(In，Al) Se₂區的帶隙介于約1.09至1.57之間。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，所述太陽能電池模 塊是晶體硅太陽能電池模塊。

7.一種鈍化太陽能電池模塊的吸收層的方法，包括以下步驟：

提供在其上方形成有吸收層的襯底；以及

在所述吸收層的上表面上形成多孔氧化鋁鈍化層。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

在所述鈍化層上方共形地形成緩沖層；以及

在所述緩沖層上方共形地形成透明導電氧化物層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述吸收層是CIGS層。

10.一種形成多孔氧化鋁鈍化層的方法，包括以下步驟：

在層上沉積將被鈍化的鋁(Al)膜；

在第一偏置電壓和第一溫度下，在氧化浴中處理沉積的鋁膜第一持續 時間段，以形成多孔氧化鋁層；

在所述處理步驟之后，通過在所述氧化浴中處理所述氧化鋁層并且控 制在所述氧化浴中處理所述氧化鋁層的偏置電壓、溫度和持續時間而使所 述多孔氧化鋁層的孔隙敞開。