[發明專利]取向電工鋼板及其制造方法在審
| 申請號: | 201410815331.0 | 申請日: | 2014-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN104726796A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | 韓奎錫;林才洙;高炫昔 | 申請(專利權)人: | POSCO公司 |
| 主分類號: | C22C38/60 | 分類號: | C22C38/60;C22C38/06;C21D8/12 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人: | 鐘守期;王媛 |
| 地址: | 韓國慶尚*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 取向 電工 鋼板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種取向電工鋼板及其制造方法。
背景技術
取向電工鋼板是一種在鋼板軋制方向上磁性能非常優異的軟磁性材料,因為取向電工鋼板形成所謂的高斯織構,其中鋼板面的所有晶粒取向為{110}面、并且在軋制方向上的晶體取向平行于<001>軸。對通過取向為{110}<001>的二次再結晶制造取向電工鋼板的技術的研究主要致力于使用強勁的晶粒生長抑制劑形成對{110}<001>取向聚集度高的二次再結晶,以確保優異的磁性能。
至今所采用的取向電工鋼板的制造方法主要是將AlN、MnS等析出物用作晶粒生長抑制劑引起二次再結晶。
這種將AlN、MnS析出物用作晶粒生長抑制劑的取向電工鋼板的制造方法具有能使二次再結晶穩定發生的優點,然而需要使析出物微細且均勻地分布于鋼板,以便發揮強勁的晶粒生長抑制效果。
為了使這種微細的析出物均勻地分布,熱軋之前要在1300℃以上的高溫下對板坯進行長時間加熱,以使鋼中的粗大析出物固溶,然后在非常短的時間內進行熱軋,并在未發生析出的狀態下結束熱軋。
為此需要大型板坯加熱裝置,并且需要非常嚴格地管理熱軋和卷取工藝,并使在熱軋之后的熱軋板退火工藝中固溶的析出物微量析出,以最大限度地抑制析出。
此外,將AlN或者MnS析出物用作晶粒生長抑制劑引起二次再結晶的取向電工鋼板的制造方法還存在如下問題:在二次再結晶結束之后,為了除去析出物組分,必須在1200℃的高溫下進行長達30小時以上的純化退火,導致制造工藝變得復雜和成本上升。
雖然有一種取向電工鋼板的制造方法,不將AlN、MnS析出物用作晶粒生長抑制劑,而是利用表面能量作為結晶生長驅動力,優先使{110}<001>取向晶粒生長,但是要想有效利用表面能量之差,鋼板厚度就得薄。
發明內容
本發明一實施例提供一種取向電工鋼板。
本發明另一實施例提供一種取向電工鋼板的制造方法。
本發明一實施例的取向電工鋼板,以重量百分比(%)包含2.0~4.5%的S?i、0.001~0.20%的C、3%以下(不包括0%)的Al、0.08%以下(不包括0%)的Mn、0.005%以下(不包括0%)的N、0.05%以下(不包括0%)的S,余量為Fe及其他不可避免的雜質。
所述電工鋼板以重量百分比計可包含0.01%以下的Al、0.001~0.10%的Sb、0.001~0.10%的Sn、0.001~0.10%的Bi,并滿足0.005%≤[S]+[Sb]+[Sn]+[Bi]≤0.15%,其中[S]、[Sb]、[Sn]、[Bi]為S、Sb、Sn、Bi的重量百分比。
對于所述電工鋼板,S、FeS或者這些的組合物質可偏析到晶界。而且Sb、Sn、Bi或者這些的組合物質可偏析到晶界。
在所述取向電工鋼板的厚度方向截面上的鋁氧化物可為0.01~500個/mm2。
對于所述取向電工鋼板,在施加50Hz、1.7特斯拉的交流磁場的條件下的矯頑力值可為30A/m以下。
所述取向電工鋼板可包含B、V、Nb,所述B、V、Nb分別可為0.005%以下。
本發明一實施例的取向電工鋼板的制造方法,包括以下步驟:
提供板坯,所述板坯以重量百分比計包含2.0~4.5%的Si、0.001~0.20%的C、3%以下(不包括0%)的Al、0.08%以下(不包括0%)的Mn、0.005%以下(不包括0%)的N、0.05%以下(不包括0%)的S,余量為Fe及其他不可避免的雜質;
對所述板坯進行再加熱,然后熱軋成熱軋鋼板;
將所述熱軋鋼板冷軋成冷軋鋼板;
對所述冷軋鋼板進行脫碳退火;及
在所述脫碳退火后的鋼板上涂覆退火隔離劑并進行二次再結晶退火。
所述板坯以重量百分比計可包含0.01%以下的Al、0.001~0.10%的Sb、0.001~0.10%的Sn、0.001~0.10%的Bi,并滿足0.005%≤[S]+[Sb]+[Sn]+[Bi]≤0.15%,其中[S]、[Sb]、[Sn]、[Bi]為S、Sb、Sn、Bi的重量百分比。
所述脫碳退火在750℃以上的溫度下保持30秒鐘,以使鋼板的碳含量減少到0.003%以下,脫碳退火時變形的冷軋再結晶晶粒的大小可為5μm以上。
所述二次再結晶退火包括升溫過程和純化退火過程,
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