[發明專利]一種IC封裝載帶及其制備方法有效
| 申請號: | 201410813824.0 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN104485317A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發明(設計)人: | 劉琪;余慶華;黃雄;石穎慧 | 申請(專利權)人: | 恒匯電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;C25D5/12;C25D3/48 |
| 代理公司: | 淄博佳和專利代理事務所 37223 | 代理人: | 孫愛華 |
| 地址: | 255086 山東省淄博*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ic 裝載 及其 制備 方法 | ||
技術領域
一種IC封裝載帶及其制備方法,屬于IC卡用封裝載帶技術領域。
背景技術
IC卡封裝載帶指的是用于集成電路卡模塊封裝用的一種關鍵專用基礎材料,主要起到保護芯片并作為集成電路芯片和外界接口的作用,其形式為帶狀,通常為金黃色。具體的使用過程如下:首先通過全自動貼片機將集成電路卡芯片貼在IC卡封裝載帶上面,然后用焊線機將集成電路芯片上面的觸點和IC卡封裝載帶上面的節點連接起來實現電路的聯通,最后使用封裝材料將集成電路芯片保護起來形成集成電路卡模塊,便于后道應用;簡介現有IC封裝載帶的結構設計中為了保護IC封裝載帶的接觸面,增強接觸面的耐磨性與防腐能力,會在接觸面鍍上一層保護用硬金/軟金。?若所用工藝為硬金工藝時,會不可避免的鍍上沒有實際用途的壓焊面硬金層,造成浪費。使得生產成本提高。在科技飛速發展的今天,為了增強IC封裝載帶在國際上的競爭力,我們一直在不斷研究,尋找降低生產成本的辦法。
現有IC封裝載帶的電鍍工藝流程為:除油、活化、鍍打底鎳、鍍磷鎳、預鍍金、鍍保護用硬金/軟金、鍍焊接用軟金、烘干。為了保護載帶表面,增強載帶接觸面的耐磨,防腐和防氧化能力,載帶接觸面采用先鍍打底鎳,再鍍磷鎳,然后鍍預鍍金,最后鍍保護用硬金/軟金的鍍層結構。該結構的鍍層雖然具有良好的耐磨,防腐和防氧化的特性,但結構中的磷鎳工藝具有穩定性較差,控制及維護費用高難度大等特點。另外,該鍍層結構中含有金層,金是貴重金屬價格昂貴,從而使得該結構的成本較高,不利于推廣利用。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:克服現有技術的不足,提供一種IC封裝載帶及其制備方法,該IC封裝載帶可有效減少貴重金屬的使用、降低成本,同時具備較好的耐腐能力和耐磨能力,該制備方法工序簡單,縮短了生產用時,有效提高了IC封裝載帶的生產效率。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:該IC封裝載帶,包括基材,其特征在于:基材上方按由下到上依次附著有銅箔層、接觸面半光亮鎳層、接觸面預鍍金層;基材上開有焊接用焊接孔,焊接孔中按由下到上依次填充有壓焊面半光亮鎳層、壓焊面預鍍金層、焊接用軟金層。
所述的基材采用環氧樹脂布材質,接觸面預鍍金層和壓焊面預鍍金層采用預鍍金材質;接觸面半光亮鎳層和壓焊面半光亮鎳層采用半光亮鎳材質。
該IC封裝載帶的制備方法,其特征在于,由1)除油;2)活化;3)鍍半光亮鎳;4)預鍍金;5)鍍軟金;6)烘干的步驟組成;
1)除油:以蝕刻成型的銅箔層為電鍍底材,采用了超聲振蕩以及電解除油的工藝對銅箔層除油;在55℃條件下,使用堿性除油粉配制濃度為60~80g/L的水溶液,電解除油電流密度為6~12ASD,浸漬時間為9~27秒;
2)活化:在18~29℃溫度下使用活化液浸漬銅箔層,浸漬時間6~18秒;
3)鍍半光亮鎳:電鍍過程中采用4個子槽使用鍍半光亮鎳藥水進行鍍半光亮鎳,電鍍藥水溫度為40~65℃,浸漬時間24s~72s,電流密度10~30ASD;電鍍結束在銅箔層的接觸面電鍍形成1.0μm~4μm厚的接觸面半光亮鎳層,在銅箔層的壓焊面電鍍形成2μm~9μm的壓焊面半光亮鎳層;使用的添加不含硫光亮劑10~15ml/L的水溶液浸漬處理電鍍形成的接觸面半光亮鎳層和壓焊面半光亮鎳層;
4)預鍍金:使用預鍍金藥水,分別在接觸面半光亮鎳層外部電鍍0.0005~0.01μm厚的接觸面預鍍金層、在壓焊面半光亮鎳層外部電鍍0.0005~0.01μm厚的壓焊面預鍍金層,藥水浸漬時間5~15s,電流密度0.1~0.8ASD;
5)鍍軟金:使用鍍軟金藥水,在壓焊面預鍍金層外電鍍厚度為0.1~0.5μm的焊接用軟金層,藥水浸漬時間6~18s,電流密度為1~5ASD,即得IC封裝載帶。
步驟1)中所述的堿性除油粉為Technic?200?堿性除油粉。所述Technic?200?堿性除油粉中含有質量百分比大于50%的NaOH。
步驟2)中所述的活化液為ZA-200微蝕劑50~150g/L、體積濃度0.5~5%的硫酸和水的混合物;或者所述的活化液為濃度為40~80g/L的ACT9600活化鹽水溶液。
步驟3)所述鍍半光亮鎳藥水成分為氨基磺酸鎳80~120g/L,氯化鎳1~12g/L,硼酸40~60g/L;電鍍藥水Ph為3~4.5。
步驟3)所述不含硫光亮劑為1,4?—?丁炔二醇、烯丙基磺酸鈉和香豆素-7,8-2-吡喃酮的混合物。
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