[發明專利]一種鉿基高k柵介質堆棧結構及其MOSFET器件在審
| 申請號： | 201410782187.5 | 申請日： | 2014-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN105762179A | 公開（公告）日： | 2016-07-13 |
| 發明（設計）人： | 陳小強;杜軍;熊玉華;魏峰 | 申請（專利權）人： | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人： | 劉秀青;熊國裕 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鉿基高 介質 堆棧 結構 及其 mosfet 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，包括在硅襯底上表面依次設置的界面過渡層、鉿基高k柵介質層和柵電極，以及在硅襯底下表面設置的背電極，其中鉿基高k柵介質層是通過過渡金屬氧化物摻雜氧化鉿形成的疊層結構。
2.根據權利要求1所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，所述過渡金屬氧化物為TiO2或ZrO2。
3.根據權利要求1或2所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，所述鉿基高k柵介質層采用原子層沉積技術沉積而成。
4.根據權利要求1或2所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，所述過渡金屬氧化物的摻雜量為5％-20％。
5.根據權利要求4所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，所述鉿基高k柵介質層的物理厚度為1-4nm。
6.根據權利要求1或2所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，所述界面過渡層為厚度≤1nm的SiO2層。
7.根據權利要求1所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，所述背電極為Ag或Al。
8.根據權利要求1所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，所述硅襯底為電阻率在1-10Ω·cm的n型硅或p型硅。
9.根據權利要求1所述的鉿基高k柵介質堆棧結構，其特征在于，所述柵電極為TiN、TiAl、TaN、Pt、Ru和W中的一種或多種。
10.一種MOSFET器件，包括權利要求1-7任一項所述的鉿基高k柵介質堆棧結構。
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