[發明專利]適宜使用RF組件的硅襯底，此類硅襯底形成的RF組件

無效

• 申請號: 201410777866.3
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN104715975A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: P·M·拉姆伯金;P·L·菲茲格拉德;B·P·斯坦森;R·C·格金;S·A·萊恩徹;W·A·萊恩
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H01H59/00
• 分類號: H01H59/00;H01P5/18;H01P3/10;H01P1/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 羅銀燕

1.一種硅襯底，其包括通過Czochralski方法形成的硅結構，并具有沉積在硅結構上的載流子壽命時間殺滅層。

2.如權利要求1所述的硅襯底，其中，所述硅結構具有約3000至30000Ω厘米的電阻率。

3.如權利要求1所述的硅襯底，其中，所述載流子壽命殺滅層是多晶硅層。

4.如權利要求3所述的硅襯底，其中，所述多晶硅的厚度在10至1000nm之間。

5.如權利要求3所述的硅襯底，其中，所述多晶硅是未摻雜的或基本上未摻雜。

6.如權利要求1所述的硅襯底，進一步包括：形成在所述載流子壽命殺滅層上的射頻組件。

7.如權利要求6所述的硅襯底，其中，所述射頻組件包括微機械加工的機電開關。

8.如權利要求7所述的硅襯底，其中，所述開關被形成在電介質層中。

9.如權利要求8所述的硅襯底，其中，該介電層為50nm和10000nm厚之間。

10.一種硅襯底，包括如權利要求6請求的射頻組件，其中，所述射頻組件是傳輸線、濾波器、信號組合器、信號分離器、RLC網絡和定向耦合器中的至少一個。

11.提供半導體襯底用于形成在超過1GHz運行的組件的方法，包括：在由CZ處理形成的晶片上形成載流子壽命時間殺滅層。

12.如權利要求11所述的方法，其中，形成載流子壽命時間殺滅層包括在退火步驟之前在半導體襯底上沉積層基本上未摻雜的多晶硅。

13.一種制造設備的方法，包括：在半導體襯底上形成電子部件，其中所述襯底由CZ法形成，并在所述襯底上具有載流子壽命時間殺滅層。

14.一種形成如權利要求13所述的設備的方法，其中所述電子部件包括RF?MEMS開關、傳輸線、濾波器、信號組合器、信號分離器、RLC網絡或定向耦合器。

15.具有形成在其上的多晶硅層的硅襯底。

16.如權利要求15所述的硅襯底，其中，所述硅襯底是浮區硅。

17.如權利要求15所述的硅襯底，其中，所述硅襯底是Czochralski硅。

18.如權利要求15所述的硅襯底，還包括形成在所述載流子壽命殺滅層上的射頻組件。