[發(fā)明專(zhuān)利]具有多個(gè)位錯(cuò)平面的MOSFET

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410770305.0
• 申請(qǐng)日: 2014-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105374873A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂偉元
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，包括：

形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET，包括：

實(shí)施第一注入以形成鄰近所述MOSFET的柵電極的第一預(yù)非晶化注入PAI區(qū)；

在所述第一PAI區(qū)上方形成第一應(yīng)變覆蓋層；以及

對(duì)所述第一應(yīng)變覆蓋層和所述第一PAI區(qū)實(shí)施第一退火以形成第一位錯(cuò)平面，其中，由于所述第一退火形成所述第一位錯(cuò)平面，所述第一位錯(cuò)平面的傾斜角小于65度；

鄰近所述MOSFET蝕刻淺溝槽隔離STI區(qū)以形成鄰接所述MOSFET的凹槽，其中，所述STI區(qū)具有位于凹槽下面的凹進(jìn)的頂面，并且所述第一位錯(cuò)平面的夾止線高于所述STI區(qū)的凹進(jìn)的頂面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，在形成所述第一應(yīng)變覆蓋層中，添加氫氣(H2)作為工藝氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，在所述第一退火中，將所述第一應(yīng)變覆蓋層暴露于紫外光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，還包括形成鄰近所述MOSFET的柵電極的第二位錯(cuò)平面，其中，所述第一位錯(cuò)平面和所述第二位錯(cuò)平面位于所述柵電極的同一側(cè)，并且延伸到所述MOSFET的源極/漏極區(qū)內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，在形成所述第一位錯(cuò)平面之后實(shí)施所述第二位錯(cuò)平面的形成，并且所述第一位錯(cuò)平面和所述第二位錯(cuò)平面彼此平行。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，在形成所述第一位錯(cuò)平面之后實(shí)施所述第二位錯(cuò)平面的形成，并且所述第一位錯(cuò)平面和所述第二位錯(cuò)平面彼此不平行。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，形成所述第二位錯(cuò)平面包括：

蝕刻所述第一應(yīng)變覆蓋層以去除所述第一應(yīng)變覆蓋層的水平部分，其中，鄰近所述柵電極的所述第一應(yīng)變覆蓋層的垂直部分未被蝕刻以形成偏移間隔件；

在蝕刻之后，實(shí)施第二注入以形成鄰近所述柵電極的第二PAI區(qū)；

在所述第二PAI區(qū)上方形成第二應(yīng)變覆蓋層；以及

對(duì)所述第二應(yīng)變覆蓋層和所述第二PAI區(qū)實(shí)施第二退火，其中，由于所述第二退火形成所述二位錯(cuò)平面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，所述第一位錯(cuò)平面的傾斜角小于45度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，還包括：

在形成所述第一位錯(cuò)平面之后，實(shí)施外延生長(zhǎng)以在所述MOSFET的源極/漏極區(qū)上方形成外延半導(dǎo)體層；以及

實(shí)施硅化以在所述源極/漏極區(qū)上形成硅化物區(qū)，其中，在硅化中消耗掉所述外延半導(dǎo)體層的頂部，而在硅化中不消耗所述外延半導(dǎo)體層的底部。

10.一種形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，包括：

形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET，包括：

實(shí)施第一注入以形成鄰近所述MOSFET的柵電極的第一預(yù)非晶化注入PAI區(qū)；

在所述第一PAI區(qū)上方形成第一應(yīng)變覆蓋層，在形成所述第一應(yīng)變覆蓋層中將氫氣用作工藝氣體；以及

對(duì)所述第一應(yīng)變覆蓋層和所述第一PAI區(qū)實(shí)施第一退火以形成第一位錯(cuò)平面，其中，由于所述第一退火形成所述第一位錯(cuò)平面，

鄰近所述MOSFET蝕刻淺溝槽隔離STI區(qū)以形成鄰接所述MOSFET的凹槽，其中，所述STI區(qū)具有位于所述凹槽下面的凹進(jìn)的頂面，并且其中，所述第一位錯(cuò)平面的夾止線高于所述STI區(qū)的凹進(jìn)的頂面。