[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 201410768800.8
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN104716022A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 日野出大輝;太田喬;西東和英
• 申請（專利權）人: 斯克林集團公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張永康;李英艷

1.一種基板處理方法，其是用于從在表面形成有第1氮化硅膜、并且在所述第1氮化硅膜上層疊有氧化硅膜的基板上除去所述第1氮化硅膜和所述氧化硅膜的基板處理方法，其包括：

第1磷酸處理工序，該工序向由基板保持單元保持的所述基板供給規定的第1濃度的磷酸水溶液，用該磷酸水溶液處理所述基板，以除去所述第1氮化硅膜；以及

第2磷酸處理工序，該工序在所述第1磷酸處理工序之后，接著向所述基板供給低于所述第1濃度的第2濃度的磷酸水溶液，用該磷酸水溶液處理所述基板，以除去所述氧化硅膜。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述由基板保持單元保持的所述基板是半導體基板，所述半導體基板形成有由硅構成的柵電極，在所述柵電極的側面形成有第1氮化硅膜作為側壁膜，并且在所述柵電極和所述第1氮化硅膜上層疊有氧化硅膜。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

所述基板還具有層疊于所述氧化硅膜上的第2氮化硅膜，

在所述第1磷酸處理工序之前，還包括下述的高濃度磷酸處理工序：向所述基板供給濃度高于所述第2濃度的磷酸水溶液，用該磷酸水溶液處理所述基板，以除去所述第2氮化硅膜。

4.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

所述基板還具有層疊于所述氧化硅膜上的第2氮化硅膜，

在所述第1磷酸處理工序之前，還包括下述的低濃度磷酸處理工序：向所述基板供給濃度低于所述第1濃度的磷酸水溶液，用該磷酸水溶液處理所述基板，以除去所述第2氮化硅膜。

5.一種基板處理裝置，其是用于從在表面形成有第1氮化硅膜、并且在所述第1氮化硅膜上層疊有氧化硅膜的基板上除去所述第1氮化硅膜和所述氧化硅膜的基板處理裝置，其包括：

室；

基板保持單元，該基板保持單元收納在所述室內，并保持所述基板；

磷酸供給單元，該磷酸供給單元用于向保持在所述基板保持單元的所述基板供給磷酸水溶液；

供給濃度調整單元，該供給濃度調整單元用于調整向所述基板供給的磷酸水溶液的濃度；以及

控制單元，該控制單元控制所述磷酸供給單元和所述供給濃度調整單元，以實行下述處理工序：第1磷酸處理工序，該工序向由所述基板保持單元保持的所述基板供給規定的第1濃度的磷酸水溶液，用該磷酸水溶液處理所述基板，以除去所述第1氮化硅膜；以及第2磷酸處理工序，該工序在所述第1磷酸處理工序之后，接著向所述基板供給低于所述第1濃度的第2濃度的磷酸水溶液，用該磷酸水溶液處理所述基板，以除去所述氧化硅膜。

6.根據權利要求5所述的基板處理裝置，其中，

所述由基板保持單元保持的所述基板是半導體基板，所述半導體基板形成有由硅構成的柵電極，在所述柵電極的側面形成有第1氮化硅膜作為側壁膜，并且在所述柵電極和所述第1氮化硅膜上層疊有氧化硅膜。

7.根據權利要求5或6所述的基板處理裝置，其中，

所述磷酸供給單元包含輸出磷酸水溶液的磷酸噴嘴，

所述供給濃度調整單元包含調整從所述磷酸噴嘴輸出的磷酸水溶液的濃度的輸出濃度調整單元。

8.根據權利要求5或6所述的基板處理裝置，其中，

所述磷酸供給單元包括：供給磷酸水溶液的磷酸配管；供給水的供水配管；以及混合部，所述混合部與所述磷酸配管和所述供水配管相連，混合來自所述磷酸配管的磷酸水溶液和來自所述供水配管的水，通過所述混合部混合的磷酸水溶液從所述磷酸噴嘴輸出；

所述輸出濃度調整單元包含混合比調整單元，所述混合比調整單元調整所述混合部的來自所述磷酸配管的磷酸水溶液與來自所述供水配管的水的混合比。

9.根據權利要求5或6所述的基板處理裝置，其中，

所述磷酸供給單元包括：輸出磷酸水溶液的磷酸噴嘴；第1磷酸供給單元，該單元用于向所述磷酸噴嘴供給所述第1濃度的磷酸水溶液；以及第2磷酸供給單元，該單元用于向所述磷酸噴嘴供給所述第2濃度的磷酸水溶液，

所述供給濃度調整單元包含切換單元，所述切換單元在所述第1磷酸供給單元和所述第2磷酸供給單元之間切換向所述磷酸噴嘴供給的所述磷酸水溶液的供給源。