[發明專利]聚合物發光二極管的溶液工藝電子傳輸層

在審

• 申請號: 201410766389.0
• 申請日: 2014-12-11
• 公開（公告）號: CN105742522A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 蔡崢鳴;盧子翹;何國強
• 申請（專利權）人: 納米及先進材料研發院有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 武晨燕;遲姍

1.一種用于制造聚合物發光二極管的方法，包括:

提供發射層(EML)；

在至少一種醇類溶劑中溶解至少一種電子傳輸層(ETL)材料以形成電子傳輸層溶液；

通過第一溶液工藝在所述發射層上涂覆所述電子傳輸層溶液以形成電子傳輸層濕膜；以及

對所述電子傳輸層濕膜退火以形成電子傳輸層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述電子傳輸層材料包括2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-氫-苯并咪唑)(TPBi)，2(4-聯苯)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，或者3-(4-聯苯)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述醇類溶劑選自由甲醇、異丙醇、正丁醇、乙二醇及其組合構成的群組。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述醇類溶劑形成包括體積比為95％的甲醇、4.5％的正丁醇以及0.5％的乙二醇的醇類溶劑混合物。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述電子傳輸層材料是基于小分子的。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述電子傳輸層溶液包括重量百分比為0.2-1％的所述電子傳輸層材料。

7.如權利要求1所述的方法，其中對所述電子傳輸層濕膜退火以形成電子傳輸層的步驟在90-120℃的溫度下實施5-15分鐘。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述第一溶液工藝是第一旋涂、第一噴涂打印或者第一刮刀涂布。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述第一旋涂包括在2至4000rpm的范圍內的旋涂速率。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述電子傳輸層包括從10nm至40nm范圍內的厚度。

11.如權利要求1所述的方法，其中形成所述發射層的步驟包括:

在非極性溶劑中溶解至少一種發射材料以形成發射層溶液；

通過第二溶液工藝在空穴傳輸層上涂覆所述發射層溶液以形成發射層濕膜；以及

對所述發射層濕膜退火以形成所述發射層。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述發射材料包括聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚(p-苯乙炔)(PPV)或者螺二芴聚合物。

13.如權利要求11所述的方法，其中所述非極性溶劑包括甲苯或者氯苯。

14.如權利要求11所述的方法，其中所述第二溶液工藝是第二旋涂、第二噴涂打印或者第二刮刀涂布。

15.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成空穴傳輸層(HTL)；

在所述空穴傳輸層上形成所述發射層；以及

在所述電子傳輸層層上形成陰極。

16.如權利要求15所述的方法，其中所述襯底包括銦錫氧化物，并且所述陰極包括氟化鋰/鋁。

17.一種聚合物發光二極管，其通過權利要求1所述的方法制造。