[發明專利]聚乙烯醇系聚合物薄膜及其制造方法有效
| 申請號: | 201410763412.0 | 申請日: | 2014-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN104459864A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 李承龍;呂新坤;譚海軍;謝凱玲;丁麗婷;胡明源;江林 | 申請(專利權)人: | 云南云天化股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30;G02B1/04;C08L29/04;C08J5/18;B29C71/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚乙烯醇 聚合物 薄膜 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明屬于薄膜制備技術領域,?具體涉及一種聚乙烯醇系聚合物薄膜及其制造方法。
背景技術
偏光片是液晶顯示器(LCD)的重要組成部分,主要用于控制透過液晶光線的旋光性。偏光片一般是將聚乙烯醇類聚合物(PVA)膜單軸延伸,進一步染色制備的偏振光膜的兩面,粘貼如三乙酸纖維素(TAC)等保護膜制成的。
隨著LCD面板面積的擴大化,同時要求更大尺寸的偏光片的生產。相對于中小尺寸偏光片,大尺寸偏光片在制作過程中,特別是薄膜在染色延伸后,會出現薄膜厚度均一性發生變化的現象,在薄膜的TD方向上,會發生薄膜兩邊區域比薄膜中心處區域厚度更高的現象,這是由薄膜拉伸步驟所影響的現象。該現象在大寬幅偏光片的制造中表現的更為明顯。該現象的產生會造成偏光片產品TD方向上透光率不一致,嚴重影響偏光片質量,且成為偏光片制造過程中斷帶的可能,同時一定程度上限制了大尺寸PVA偏光膜的制備,降低了染色延伸PVA薄膜的利用率。目前針對該現象,并沒有很好的方法解決。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種聚乙烯醇系聚合物薄膜及其制造方法,能夠控制薄膜染色拉伸后寬度方向(TD)上的厚度均一性。
為達到上述目的,本發明提供如下技術方案:
本發明公開了一種聚乙烯醇系聚合物薄膜,該薄膜a段區域的溶脹度A和b段區域的溶脹度B滿足如下關系:100%≤A≤180%,110%≤B≤220%,10%≤B-A≤40%;其中,該薄膜的寬幅為L,a段區域表示在薄膜寬度方向上的兩個邊部區域,每一個邊部區域的寬度為a,5%L≤a≤35%L,b段區域表示在薄膜寬度方向上剩余的中心區域。
滿足上述溶脹度關系的聚乙烯醇系聚合物薄膜,經過染色拉伸后,薄膜在TD方向上厚度的變化小于0.5μm?/mm。如B-A<10%,則難以實現本發明的目的;如B-A>40%,則薄膜易發生溶脹不均與折皺的現象。薄膜溶脹度整體控制在100%-220%以內,溶脹度過小薄膜難以染色拉伸;溶脹度過大時薄膜在拉伸過程中強度較差,易發生斷帶的現象。
本發明中,所述薄膜的寬幅L優選為2-4m。所述薄膜的厚度優選為30-120μm。
本發明還公開了一種聚乙烯醇系聚合物薄膜的制造方法,包括以下步驟:
1)配制聚乙烯醇系聚合物薄膜的制膜原液;
2)將制膜原液均勻混合后以膜狀吐出,形成初始胚膜;
3)對初始胚膜進行烘干,制得薄膜;
4)對烘干后的薄膜進行熱處理,熱處理時薄膜a段區域的熱處理溫度Ta和b段區域的熱處理溫度Tb滿足如下關系:120℃≤Ta≤165℃,100℃≤Tb≤160℃,5℃≤Ta?-Tb≤20℃;其中,該薄膜的寬幅為L,a段區域表示在薄膜寬度方向上的兩個邊部區域,每一個邊部區域的寬度為a,5%L≤a≤35%L,b段區域表示在薄膜寬度方向上剩余的中心區域。
本發明通過控制薄膜區域熱處理溫度的差異分布,可以達到薄膜區域溶脹度差異的控制,熱處理時滿足上述熱處理溫度關系,可以制得滿足本發明溶脹度關系的聚乙烯醇系聚合物薄膜。如熱處理溫度高于165℃,薄膜易變黃;如熱處理溫度低于100℃,難以達到熱處理效果。
上述步驟1)中,制膜原液可以選擇由聚乙烯醇系聚合物、增塑劑、表面活性劑和溶劑組成,聚乙烯醇系聚合物的聚合度優選為1000-5000、醇解度優選為99%以上,溶劑優選水,增塑劑優選丙三醇,表面活性劑優選使用陰離子型或非離子型表面活性劑。聚乙烯醇系聚合物占制膜原液總質量的10%-60%,增塑劑的含量為聚乙烯醇系聚合物質量的7%-15%,表面活性劑的含量為聚乙烯醇系聚合物質量的0.01%-3%,余量為溶劑。
上述步驟2)中,優選成膜厚度均勻、平整度好的成膜方法,例如通過氣壓擠出制膜原液通過模頭狹縫成膜的方法、通過螺桿擠出制膜原液通過狹縫成膜的方法、通過螺桿熔融擠出制膜原液通過狹縫成膜的方法等,模頭優選具有衣架式流道的模頭類型。制膜原液以膜狀吐出至第一干燥輥上,形成初始胚膜,在干燥輥上含水率到達10%-25%時從輥表面剝離。
上述步驟3)中,烘干方式可以選擇干燥輥烘干、熱風烘干、輻射加熱烘干等。
上述步驟4)中,能夠實現熱處理溫度差異分布的熱處理方式均適用,比如熱輥熱處理、熱風熱處理、紅外加熱熱處理等。熱處理時間優選為1-180s。
熱輥熱處理時,在薄膜寬度方向上分段布置至少3節熱輥進行獨立控溫,與a段區域接觸的熱輥溫度為Ta,與b段區域接觸的熱輥溫度為Tb。
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