[發(fā)明專利]一種疊層太陽(yáng)能電池的制備方法及其結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410758787.8
• 申請(qǐng)日: 2014-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN105742402B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓安軍;張慶釗;彭東陽(yáng);顧世海;李琳琳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京漢能創(chuàng)昱科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/02;H01L31/078
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11250
• 代理人: 彭秀麗,尹學(xué)清

1.一種疊層太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，具體包括如下步驟：

步驟一、采用P型單晶硅片制備太陽(yáng)能電池；

步驟二、在襯底上制備背電極層；

步驟三、在背電極層上制備犧牲層，所述犧牲層為NaF層；

步驟四、在犧牲層上制備CIGS薄膜太陽(yáng)能電池；

步驟五、采用熱蒸發(fā)或?yàn)R射的方法，分別在單晶硅電池的P型硅層和CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的窗口層上沉積金屬鍵合層；

步驟六、將制備好的單晶硅電池上的金屬鍵合層與CIGS薄膜太陽(yáng)能電池上的金屬鍵合層進(jìn)行金屬鍵合；

步驟七、將鍵合后的單晶硅/CI GS疊層電池在常溫下進(jìn)行所述襯底和背電極層的剝離；

步驟八、在單晶硅電池的N+硅層上沉積金屬電極；

步驟九、在CIGS薄膜太陽(yáng)能電池表面制備柵線電極；

步驟十、采用蒸發(fā)法在疊層電池的上表面制備抗反射層，即得單晶硅/CI GS疊層太陽(yáng)能電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟五中的金屬鍵合層為厚度0.1-10nm的金錫合金層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟六中的將制備好的單晶硅電池上的金屬鍵合層與CIGS薄膜太陽(yáng)能電池上的金屬鍵合層進(jìn)行金屬鍵合，其具體方法是：

在氮?dú)猸h(huán)境下，將制備好的單晶硅電池的金屬鍵合層與CIGS薄膜太陽(yáng)能電池上的金屬鍵合層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，在壓力5N-50000N，加熱300℃-500℃下，保持10mi n-120mi n，使單晶硅電池與CIGS薄膜太陽(yáng)能電池通過(guò)金屬鍵合層進(jìn)行金屬鍵合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，

步驟七中的將鍵合后的單晶硅/CIGS疊層電池在常溫下進(jìn)行剝離，其具體方法是：將鍵合后的單晶硅/CIGS疊層電池在常溫下進(jìn)行機(jī)械剝離或浸入水中溶解犧牲層，使CIGS薄膜太陽(yáng)能電池在犧牲層處與背電極層分離。

5.一種疊層太陽(yáng)能電池，依次包括底電池、金屬鍵合層、頂電池和電極，其特征在于，所述底電池為單晶硅電池，所述頂電池為銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池，所述金屬鍵合層設(shè)置于所述頂電池與所述底電池之間；所述銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池包括CIGS吸收層、CdS緩沖層和窗口層，所述單晶硅電池包括P型硅層和N+硅層，所述金屬鍵合層與所述單晶硅電池的P型硅層及銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池的窗口層相結(jié)合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述的金屬鍵合層為金錫合金層，其厚度為0.1-10nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述金錫合金層的厚度為5nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述窗口層包括本征窗口層和導(dǎo)電窗口層，所述本征窗口層厚度為30nm-100nm，所述導(dǎo)電窗口層厚度為200nm-1500nm。