[發明專利]等離子體處理裝置以及聚焦環

在審

• 申請號: 201410757112.1
• 申請日: 2014-12-10
• 公開（公告）號: CN104701126A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 岸宏樹;宮川正章;北畑利憲;巖田學
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，該等離子體處理裝置包括：

腔室，其用于對被處理體進行等離子體處理；

載置臺，其設于上述腔室的內部，并具有用于載置上述被處理體的載置面；以及

聚焦環，其以包圍被載置于上述載置面的上述被處理體的方式設于上述載置臺，自內周側朝向外周側依次形成有比上述載置面低的第1平坦部、比上述第1平坦部高并且不高于上述被處理體的被處理面的第2平坦部、以及比上述被處理體的被處理面高的第3平坦部。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

由上述第3平坦部的、靠上述聚焦環的內周側的端部圍成的圓的直徑為315mm～325mm。

3.根據權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

在自比上述被處理體的被處理面低1mm的位置至上述被處理體的被處理面的位置的范圍內選定上述第2平坦部的相對于上述被處理體的被處理面的高度方向上的位置。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

在自比上述被處理體的被處理面高3mm的位置至比上述被處理體的被處理面高5mm的位置的范圍內選定上述第3平坦部的相對于上述被處理體的被處理面的高度方向上的位置。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

在上述第2平坦部與上述第3平坦部之間形成有傾斜部。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

在上述聚焦環自內周側朝向外周側依次形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部、上述第3平坦部、以及比上述第3平坦部低并且比上述被處理體的被處理面高的第4平坦部。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

在上述載置臺設有用于吸附被載置于上述載置面的上述被處理體的靜電卡盤，

在上述聚焦環的與形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部以及上述第3平坦部的面相反的一側的面即下表面中的、比上述靜電卡盤靠上述聚焦環的徑向的外側的區域形成有凹部。

8.一種聚焦環，其特征在于，其設于用于對被處理體進行等離子體處理的腔室的內部的、具有用于載置上述被處理體的載置面的載置臺，并且上述聚焦環包圍被載置于上述載置面的上述被處理體，

上述聚焦環自內周側朝向外周側依次形成有比上述載置面低的第1平坦部、比上述第1平坦部高并且不高于上述被處理體的被處理面的第2平坦部、以及比上述被處理體的被處理面高的第3平坦部。

9.根據權利要求8所述的聚焦環，其特征在于，

由上述第3平坦部的、靠上述聚焦環的內周側的端部圍成的圓的直徑為315mm～325mm。

10.根據權利要求8或9所述的聚焦環，其特征在于，

在自比上述被處理體的被處理面低1mm的位置至上述被處理體的被處理面的位置的范圍內選定上述第2平坦部的相對于上述被處理體的被處理面的高度方向上的位置。

11.根據權利要求8至10中任一項所述的聚焦環，其特征在于，

在自比上述被處理體的被處理面高3mm的位置至比上述被處理體的被處理面高5mm的位置的范圍內選定上述第3平坦部的相對于上述被處理體的被處理面的高度方向上的位置。

12.根據權利要求8至11中任一項所述的聚焦環，其特征在于，

在上述第2平坦部與上述第3平坦部之間形成有傾斜部。

13.根據權利要求8至12中任一項所述的聚焦環，其特征在于，

在上述聚焦環自內周側朝向外周側依次形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部、上述第3平坦部、以及比上述第3平坦部低并且比上述被處理體的被處理面高的第4平坦部。

14.根據權利要求8至13中任一項所述的聚焦環，其特征在于，

在上述載置臺設有用于吸附被載置于上述載置面的上述被處理體的靜電卡盤，

在上述聚焦環的與形成有上述第1平坦部、上述第2平坦部以及上述第3平坦部的面相反的一側的面即下表面中的、比上述靜電卡盤靠上述聚焦環的徑向的外側的區域形成有凹部。