[發明專利]一種硅通孔底部襯墊露出的檢測方法有效
| 申請號： | 201410750522.3 | 申請日： | 2014-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN104465445B | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發明（設計）人： | 馮光建 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷紅梅 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅通孔 底部 襯墊 露出 檢測 方法 | ||
1.一種硅通孔底部襯墊露出的檢測方法，其特征在于：包括如下步驟：
（1）提供帶有硅通孔結構的晶圓，對硅通孔底部沉積有絕緣層的襯墊進行刻蝕露出襯墊表面，
（2）采用金屬溶液對襯墊進行表面染色處理或對襯墊表面直接氧化處理使襯墊進行表面改性；
（3）對表面改性處理后的襯墊采用光學儀器檢測襯墊的顏色變化；
（4）表面改性處理后的襯墊在光學儀器檢測下，
（4.1）當襯墊為鋁金屬，絕緣層為二氧化硅材質采用硫酸銅溶液染色處理，處理前的襯墊表面顏色為亮白色，處理后的襯墊表面顏色變紅或變暗時判斷絕緣層去除完全；
（4.2）當襯墊為鋁金屬，絕緣層為氮化硅材質采用鍍鎳溶液對襯墊進行表面染色處理，處理前襯墊的顏色為亮白色，處理后的襯墊表面顏色變暗時判斷絕緣層去除完全；
（4.3）當襯墊為鋁金屬，絕緣層為碳化硅材質采用氧離子等離子體對襯墊表面直接氧化處理，處理前襯墊的顏色為亮白色，處理后的襯墊表面變暗時判斷絕緣層去除完全；
（4.4）當襯墊為銅金屬，絕緣層為氮化物材質采用堿式碳酸銅的氨溶液對襯墊表面染色處理，處理前襯墊的顏色為亮白色，處理后的襯墊顏色變暗時判斷絕緣層去除完全；
（4.5）當襯墊為銅金屬，絕緣層為二氧化硅材質采用氧離子的等離子體對襯墊表面直接氧化處理，處理前襯墊的顏色為紅色或暗紅色，處理后的襯墊表面顏色變暗時判斷絕緣層去除完全；
（4.6）當襯墊為銅金屬，絕緣層為二氧化硅材質采用硝酸銀溶液對襯墊表面染色處理，處理前襯墊的顏色為紅色或暗紅色，處理后的襯墊顏色變亮白色時判斷絕緣層去除完全；
（5）若絕緣層未完全去除重復上述步驟直至去除完全。
2.如權利要求1所述的硅通孔底部襯墊露出的檢測方法，其特征在于：所述刻蝕為直接刻蝕或光阻涂布、曝光、顯影后的刻蝕。
3.如權利要求1所述的硅通孔底部襯墊露出的檢測方法，其特征在于：所述硅通孔為圓形、方形、倒梯形或倒錐形。
4.如權利要求2所述的硅通孔底部襯墊露出的檢測方法，其特征在于：所述光阻涂布包括噴膠、旋涂光阻和干膜直接貼附。
5.如權利要求1所述的硅通孔底部襯墊露出的檢測方法，其特征在于：所述金屬溶液為硫酸銅溶液、鍍鎳溶液、硝酸銀溶液或堿式碳酸銅的氨溶液。
6.如權利要求1所述的硅通孔底部襯墊露出的檢測方法，其特征在于：所述對襯墊表面直接氧化處理時采用含有氧離子的等離子體處理5-30min。
7.如權利要求1所述的硅通孔底部襯墊露出的檢測方法，其特征在于：所述絕緣層的厚度為1-5μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
