[發明專利]存儲器器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201410746475.5 | 申請日： | 2014-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN104700882B | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發明（設計）人： | 樸相奐;樸淳五;金相溶;李俊明 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/15 | 分類號： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 屈玉華 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種磁存儲器器件，包括：
基板；以及
在所述基板上的磁隧道結存儲器元件，其中所述磁隧道結存儲器元件包括：
參考磁層，包括第一被釘扎層、交換耦合層和第二被釘扎層，其中所述交換耦合層在所述第一被釘扎層和第二被釘扎層之間，其中所述第二被釘扎層包括順序地堆疊在所述交換耦合層上的第一鐵磁層、第一非磁性層、第二鐵磁層和第三鐵磁層，
隧道阻擋層，其中所述第二被釘扎層在所述第一被釘扎層和所述隧道阻擋層之間，和
自由磁層，其中所述隧道阻擋層在所述參考磁層和所述自由磁層之間，
其中所述交換耦合層和所述第一鐵磁層具有第一晶體結構，其中所述第一非磁性層和所述第二鐵磁層具有第二晶體結構，其中所述第一晶體結構和第二晶體結構是不同的。
2.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述第一鐵磁層、第二鐵磁層和第三鐵磁的每個包括鈷(Co)、鐵(Fe)、鐵-硼(FeB)和鈷鐵硼(CoFeB)中的至少一個。
3.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述第一非磁性層包括鎢(W)和鉭(Ta)中的至少一個。
4.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述第一鐵磁層包括鈷(Co)，其中所述第二鐵磁層包括鐵(Fe)和鐵硼(FeB)中的至少一個。
5.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述第二鐵磁層包括鐵(Fe)和鐵硼(FeB)中的至少一個，其中所述第三鐵磁層包括鈷鐵硼(CoFeB)。
6.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述第一鐵磁層包括鈷(Co)，其中所述第三鐵磁層包括鈷鐵硼(CoFeB)。
7.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述第二被釘扎層還包括第二非磁性層，其中所述第二鐵磁層在所述第一非磁性層和第二非磁性層之間。
8.如權利要求7所述的磁存儲器器件，其中所述第一非磁性層包括鎢(W)和鉭(Ta)中的至少一個，其中所述第二鐵磁層包括鐵和/或鐵硼。
9.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述參考磁層還包括在所述第二鐵磁層與所述第三鐵磁層之間的第二非磁性層。
10.如權利要求9所述的磁存儲器器件，其中所述第一鐵磁層包括鈷(Co)，所述第一非磁性層包括鎢(W)和鉭(Ta)中的至少一個，其中所述第二鐵磁層包括鐵(Fe)和鐵硼(FeB)中的至少一個，其中所述第二非磁性層包括鎢(W)和鉭(Ta)中的至少一個，其中所述第三鐵磁層包括鈷鐵硼(CoFeB)。
11.如權利要求9所述的磁存儲器器件，其中所述第三鐵磁層具有所述第二晶體結構。
12.如權利要求11所述的磁存儲器器件，其中所述第一晶體結構是密排六方(HCP)晶體結構，其中所述第二晶體結構是體心立方(BCC)晶體結構。
13.如權利要求12所述的磁存儲器器件，其中所述第一非磁性層和第二非磁性層具有體心立方(BCC)晶體結構。
14.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述參考磁層和所述自由磁層的磁化方向相對于所述自由磁層和所述隧道阻擋層之間的界面基本上垂直。
15.如權利要求1所述的磁存儲器器件，其中所述第一被釘扎層和所述第二鐵磁層具有不同的晶體結構。
16.如權利要求15所述的磁存儲器器件，其中所述第一被釘扎層包括鈷鉑(CoPt)合金和/或[Co/Pt]n L11超晶格，其中n是自然數。
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