[發(fā)明專利]一種平坦化的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410738446.4 | 申請日： | 2014-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN105719964A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李俊杰;李春龍;劉戰(zhàn)峰;呂玉菲;李俊峰;閆江 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 黨麗;吳蘭柱 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 平坦 方法 | ||
1.一種平坦化的方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底，襯底上形成有填充層；
在填充層上形成光刻膠層；
采用等離子體刻蝕進(jìn)行光刻膠層和填充層的回刻，光刻膠層與填充層 具有基本相同的刻蝕速率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在采用等離子體刻蝕進(jìn) 行回刻時，通過調(diào)節(jié)填充層刻蝕氣體與光刻膠層刻蝕氣體的比例，獲得光 刻膠層與填充層基本相同的刻蝕速率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，光刻膠層刻蝕氣體包括 O2、或者CF4和O2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充層為多晶硅， 采用ICP刻蝕進(jìn)行回刻，刻蝕氣體包括SF6、Cl2、CF4和O2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，刻蝕氣體的比例為：O2為20～50sccm、Cl2為20scm、SF6為20sccm以及CF4為40sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充層為鎢，采 用ICP刻蝕進(jìn)行回刻，刻蝕氣體包括SF6和O2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，刻蝕氣體的比例為：O2為20～80sccm、SF6為40sccm以及Ar為40sccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充層為二氧化 硅，采用ICP刻蝕進(jìn)行回刻，刻蝕氣體包括SF6、CF4和O2。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，刻蝕氣體的比例為：O2為20～80sccm、SF6為60sccm、CF4為50sccm及Ar為40sccm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
