[發(fā)明專利]一種晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410738436.0
• 申請日: 2014-12-05
• 公開（公告）號: CN104555898A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮光建
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 張海英;徐鵬飛

1.一種晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于：其包括以下步驟：

1)在封蓋或晶圓上有傳感器的一面的任一上做光阻墻；

2)通過光阻墻將封蓋和晶圓進(jìn)行鍵合并對芯片的傳感器區(qū)域?qū)嵤┍Ｗo(hù)；

3)對晶圓做背部互聯(lián)工藝，從晶圓背部進(jìn)行切割使晶圓分離，但切割深度只到光阻墻的中部，不傷及封蓋；

4)對膠水進(jìn)行失活處理，光阻墻和晶圓分離，取出分離的芯片或晶粒；

5)去除封蓋上的光阻墻或光阻墻殘印，清洗封蓋以備重復(fù)利用。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述步驟1)中的光阻墻做在所述封蓋上，對應(yīng)的以下步驟為：

2)在光阻墻的頂部涂布膠水，把封蓋上有光阻墻的一面跟晶圓正面進(jìn)行鍵合保護(hù)住芯片的傳感器區(qū)域；

3)對晶圓做背部互聯(lián)工藝，從晶圓背部進(jìn)行切割使晶圓分離，但切割深度只到光阻墻的中部，不傷及封蓋；

4)對膠水進(jìn)行失活處理，光阻墻和晶圓分離，取出分離的芯片；

5)去除封蓋上的光阻墻，清洗封蓋以備重復(fù)利用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述步驟1)中的光阻墻做在所述晶圓上有傳感器的一面上，對應(yīng)的以下步驟為：

2)在光阻墻的頂部涂布膠水，把晶圓上有光阻墻的一面與封蓋進(jìn)行鍵合保護(hù)住芯片的傳感器區(qū)域；

3)對晶圓做背部互聯(lián)工藝，從晶圓背部進(jìn)行切割使晶圓分離，但切割深度只到光阻墻的中部，不傷及封蓋；

4)對膠水進(jìn)行失活處理，光阻墻和晶圓分離，取出分離的晶粒；

5)去除封蓋的墻殘印，清洗封蓋以備重復(fù)利用。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述封蓋上相對于與所述晶圓進(jìn)行鍵合的另一面上貼有保護(hù)膠帶，所述保護(hù)膠帶為熱敏或光敏的任一種，該膠帶通過加熱、光子輻射、電子輻射、聲波輻射或其他輻射方式作用后，其黏性會降低或者消失，所述封蓋其材質(zhì)為有機(jī)玻璃、無機(jī)玻璃、樹脂、半導(dǎo)體材料、氧化物晶體、陶瓷、金屬、有機(jī)塑料、無機(jī)氧化物、陶瓷材料的任一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述光阻墻頂部涂布的膠水為熱敏或光敏的任一種，該膠水通過輻射作用后，其黏性會降低或者消失，膠水涂布方式為噴涂，掛膠或滾膠的任一種，所述光阻墻與晶圓的鍵合方式為熱壓鍵合或輻射鍵合的任一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述封蓋通過光阻墻與晶圓鍵合時膠水涂布于要粘合的晶圓面，所述光阻墻為單純的一層緩沖層，無需刻蝕為線條，膠水涂布方式為噴涂，掛膠或滾膠的任一種，所述光阻墻與晶圓的鍵合方式為熱壓鍵合或輻射鍵合的任一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述光阻墻是正光阻或者負(fù)光阻通過光阻涂布、曝光、顯影過程產(chǎn)生的圖形，然后固化形成的光阻線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述光阻墻是直接粘附、涂布或者沉積的無機(jī)物，有機(jī)高分子材料，半導(dǎo)體材料，金屬材料，陶瓷材料的任一種薄膜，再通過黃光和刻蝕工藝形成的線條。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述光阻墻是封蓋本身中心區(qū)域材質(zhì)被移除，而使四周高出來，呈現(xiàn)墻的特征。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓級封裝中封蓋的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述光阻墻由至少一條光阻線組成，其線條所對應(yīng)區(qū)域?yàn)樾酒那懈畹溃瑢γ款w芯片進(jìn)行包圍住，以保護(hù)芯片正面的感光區(qū)域。