[發明專利]斜槽刻蝕方法有效
| 申請號： | 201410737528.7 | 申請日： | 2014-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN105712291B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 李成強 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 斜槽 下電極 電源 下電極功率 腔室壓強 低頻電源 電極電源 反應腔室 刻蝕表面 刻蝕氣體 設置方式 反應腔 硅片 側壁 平直 室內 | ||
1.一種斜槽刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：
向反應腔室內通入SF6、O2和C4F8作為刻蝕氣體，并開啟上電極電源和下電極電源，以在硅片的待刻蝕表面上刻蝕斜槽；其中，
所述下電極電源為低頻電源；
所述下電極電源的下電極功率、所述反應腔室的腔室壓強以及所述SF6、O2和C4F8的流量的設置方式為：提高所述下電極功率、腔室壓強和O2的流量，同時降低所述SF6和C4F8的流量，以使得所述斜槽的側壁平直，同時提高刻蝕速率；
所述低頻電源的射頻頻率范圍在350～450KHz；
所述低頻電源的脈沖頻率的取值范圍在500～1500Hz；
所述低頻電源的占空比與加載下電極功率的時間成正相關關系；
所述下電極功率的取值范圍在30～40W；
所述腔室壓強的取值范圍在100～200mT，所述O2的流量的取值范圍在100～200sccm，所述C4F8的流量的取值范圍在10～50sccm，所述SF6的流量的取值范圍在300～400sccm。
2.如權利要求1所述的斜槽刻蝕方法，其特征在于，所述低頻電源的射頻頻率為430KHz，所述低頻電源的脈沖頻率為1000Hz，所述低頻電源的占空比為30％。
3.如權利要求1所述的斜槽刻蝕方法，其特征在于，所述腔室壓強的取值范圍在120～150mT，所述O2的流量為150sccm，所述C4F8的流量為30sccm，所述SF6的流量為300sccm。
4.如權利要求1所述的斜槽刻蝕方法，其特征在于，所述斜槽刻蝕方法所采用的冷卻器溫度為20～40℃。
5.如權利要求4所述的斜槽刻蝕方法，其特征在于，所述斜槽刻蝕方法所采用的冷卻器溫度為20℃。
6.如權利要求1所述的斜槽刻蝕方法，其特征在于，所述上電極電源的上電極功率的取值范圍在2000～3000W。
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