[發明專利]封裝方法和半導體器件

有效

• 申請號: 201410737512.6
• 申請日: 2014-12-05
• 公開（公告）號: CN104409624A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 費躍;王旭洪;張穎
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34;H01L35/32
• 代理公司: 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417
• 代理人: 劉元霞

1.一種封裝方法，該方法包括：

在基片(1)上沉積第一犧牲層(4)，以覆蓋形成于所述基片(1)的半導體元件(3)，并且，所述犧牲層(4)的面積大于所述半導體元件(3)的面積；

在所述第一犧牲層(4)的上表面和側壁覆蓋第一介質層(5)，所述第一介質層(5)具有使所述第一犧牲層(4)的一部分露出的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述半導體元件(3)的上方，且所述第一凹槽的面積大于所述半導體元件(3)的面積；

在露出的第一犧牲層(4)的表面覆蓋第二犧牲層(6)，并且，位于所述第一犧牲層上表面的一部分所述第一介質層(5)也被所述第二犧牲層(6)覆蓋；

在所述第二犧牲層(6)及露出的所述第一介質層(5)表面覆蓋第二介質層(7)，所述第二介質層具有使所述第二犧牲層(6)露出的釋放孔和第二凹槽，其中，所述第二凹槽位于所述第一凹槽上方；

沉積填充層(9)，以填充所述第二凹槽；

通過所述釋放孔(8)，去除所述第二犧牲層和所述第一犧牲層，以形成由所述基片、第一介質層(5)、第二介質層(7)以及填充層(9)圍成的空腔，所述空腔通過所述釋放孔(8)與外界連通；

沉積第三介質層(10)，所述第三介質層(10)覆蓋所述第二介質層(7)露出的表面，并且填充所述釋放孔(8)，使所述釋放孔(8)密封。

2.如權利要求1所述的封裝方法，其中，所述第一基片還具有與所述半導體元件電連接的電極(2)，所述電極與所述半導體元件位于所述基片的同側，并且，所述方法還包括：

去除覆蓋于所述電極(2)上的所述第一介質層、所述第二介質層和/或所述第三介質層。

3.如權利要求1所述的封裝方法，其中，

所述第三介質層(10)通過所述釋放孔與所述第一介質層連接。

4.如權利要求1所述的封裝方法，其中，

所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的材料分別是聚酰亞胺、非晶硅、多晶硅、氧化硅或光刻膠，并且所述第一犧牲層和所述第二犧牲層材料相同；

所述第一介質層、所述第二介質層和所述第三介質層的材料分別是氮化硅、氧化硅、非晶硅或多晶硅，并且所述第一介質層、所述第二介質層和所述第三介質層的材料相同或不同。

5.如權利要求1所述的封裝方法，其中，

所述半導體元件(3)具有熱電堆探測器結構和熱電堆探測器吸收層；

所述填充層(9)由濾波片薄膜組成，對經由所述填充層(9)照射向所述空腔的光波進行過濾。

6.一種半導體器件，包括：

基片(1)；

位于基片表面的半導體元件(3)；

位于基片表面的、自下而上依次層疊的第一介質層(5)、第二介質層(7)和第三介質層(10)；以及

填充層(9)；

其中，所述第一介質層、所述第二介質層和所述第三介質層都具有位于所述半導體元件(3)的上方的貫通的凹槽，且所述填充層(9)填充所述第二介質層(7)和所述第三介質層(10)的所述凹槽；

所述基片、所述第一介質層(5)、所述第二介質層(7)、所述第三介質層(10)以及填充層(9)圍成密閉空腔，該半導體元件(3)被容納于所述空腔；

并且，所述第二介質層(7)的構成所述空腔上壁的部分具有釋放孔，所述第三介質層(10)填充所述釋放孔，并且，所述第三介質層(10)通過所述釋放孔與所述第一介質層(5)連接。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中，所述半導體器件還具有與所述半導體元件電連接的電極(2)，所述電極與所述半導體元件位于所述基片的同側。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其中，

所述第一介質層、所述第二介質層和所述第三介質層的材料分別是氮化硅、氧化硅、非晶硅或多晶硅，并且所述第一介質層、所述第二介質層和所述第三介質層的材料相同或不同。

9.如權利要求6所述的半導體器件，其中，

所述半導體元件(3)具有熱電堆探測器結構和熱電堆探測器吸收層；

所述填充層(9)由濾波片薄膜組成，對經由所述填充層(9)照射向所述空腔的光波進行過濾。