[發明專利]4270nm帶通紅外濾光敏感元件有效
| 申請號: | 201410733430.4 | 申請日: | 2014-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN104597539A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 王繼平;余初旺;呂晶 | 申請(專利權)人: | 杭州麥樂克電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/20 | 分類號: | G02B5/20;G02B1/00 |
| 代理公司: | 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241 | 代理人: | 周豪靖 |
| 地址: | 311188 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 4270 nm 通紅 濾光 敏感 元件 | ||
技術領域
本發明涉及醫用紅外氣體檢測濾光敏感元件,尤其是一種4270nm帶通紅外濾光敏感元件。
背景技術
紅外濾光敏感元件過濾、截止可見光同時允許通過紅外線。紅外線的波長很容易地穿透任何的物體,也就是紅外線在經過物體時不會發生折射。利用紅外線的這個特性,只讓長波長的紅外線通過,濾除短波長的紫外線和可見光。應用于很多領域,目前對于醫用紅外氣體檢測過程中所使用的濾光敏感元件存在的問題是透過率和截止區的信噪比不高,不能滿足高精度的測量要求。
發明內容
本發明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的4270nm帶通紅外濾光敏感元件。
為了達到上述目的,本發明所設計的一種4270nm帶通紅外濾光敏感元件,包括以Si為原材料的基板,以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層,且所述基板設于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間,其特征是所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有162nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、88nm厚度的Ge層、312nm厚度的SiO層、70nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、270nm厚度的Ge層、313nm厚度的SiO層、114nm厚度的Ge層、330nm厚度的SiO層、133nm厚度的Ge層、140nm厚度的SiO層、93nm厚度的Ge層、397nm厚度的SiO層、176nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、144nm厚度的Ge層、552nm厚度的SiO層、201nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、419nm厚度的SiO層、281nm厚度的Ge層、233nm厚度的SiO層、59nm厚度的Ge層、395nm厚度的SiO層、456nm厚度的Ge層、594nm厚度的SiO層、434nm厚度的Ge層、376nm厚度的SiO層;所述的第二鍍膜層由內向外依次排列包含有261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、1206nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、3620nm厚度的SiO層、249nm厚度的Ge層、150nm厚度的SiO層。
上述各材料對應的厚度,其允許在公差范圍內變化,其變化的范圍屬于本專利保護的范圍,為等同關系。通常厚度的公差在10nm左右。
本發明所得到的一種4270nm帶通紅外濾光敏感元件,其中心波長4270?±40nm,其在醫用紅外氣體檢測分析過程中,可大大的提高信噪比,提高測試精準度,適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過率Tp≥70%,帶寬=128±20nm,400~5500nm(除通帶外),Tavg<0.1%。
附圖說明
圖1是實施例整體結構示意圖。
圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。?
圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
具體實施方式
下面通過實施例結合附圖對本發明作進一步的描述。
實施例1。
如圖1和圖2所示,本實施例描述的一種4270nm帶通紅外濾光敏感元件,包括以Si為原材料的基板2,以Ge、SiO為第一鍍膜層1和以Ge、SiO為第二鍍膜層3,且所述基板2設于第一鍍膜層1與第二鍍膜層3之間,所述第一鍍膜層1由內向外依次排列包含有162nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、88nm厚度的Ge層、312nm厚度的SiO層、70nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、270nm厚度的Ge層、313nm厚度的SiO層、114nm厚度的Ge層、330nm厚度的SiO層、133nm厚度的Ge層、140nm厚度的SiO層、93nm厚度的Ge層、397nm厚度的SiO層、176nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、144nm厚度的Ge層、552nm厚度的SiO層、201nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、419nm厚度的SiO層、281nm厚度的Ge層、233nm厚度的SiO層、59nm厚度的Ge層、395nm厚度的SiO層、456nm厚度的Ge層、594nm厚度的SiO層、434nm厚度的Ge層、376nm厚度的SiO層;所述的第二鍍膜層3由內向外依次排列包含有261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、1206nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、3620nm厚度的SiO層、249nm厚度的Ge層、150nm厚度的SiO層。
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