[發(fā)明專利]4270nm帶通紅外濾光敏感元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410733430.4
• 申請(qǐng)日: 2014-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN104597539A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王繼平;余初旺;呂晶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B5/20
• 分類號(hào): G02B5/20;G02B1/00
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

1.一種4270nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板（2），以Ge、SiO為第一鍍膜層（1）和以Ge、SiO為第二鍍膜層（3），且所述基板（2）設(shè)于第一鍍膜層（1）與第二鍍膜層（3）之間，其特征是所述第一鍍膜層（1）由內(nèi)向外依次排列包含有162nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、88nm厚度的Ge層、312nm厚度的SiO層、70nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、270nm厚度的Ge層、313nm厚度的SiO層、114nm厚度的Ge層、330nm厚度的SiO層、133nm厚度的Ge層、140nm厚度的SiO層、93nm厚度的Ge層、397nm厚度的SiO層、176nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、144nm厚度的Ge層、552nm厚度的SiO層、201nm厚度的Ge層、272nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、419nm厚度的SiO層、281nm厚度的Ge層、233nm厚度的SiO層、59nm厚度的Ge層、395nm厚度的SiO層、456nm厚度的Ge層、594nm厚度的SiO層、434nm厚度的Ge層、376nm厚度的SiO層；所述的第二鍍膜層（3）由內(nèi)向外依次排列包含有261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、1206nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、603nm厚度的SiO層、261nm厚度的Ge層、3620nm厚度的SiO層、249nm厚度的Ge層、150nm厚度的SiO層。