[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

在審

• 申請號: 201410720206.1
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN104681426A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 鄭仁一;金禹永;李映一;金鵬
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及基板處理裝置及利用其的基板處理方法。

背景技術

半導體器件是通過以光刻工藝(photolithography)為首的多種工藝，在基板上形成電路圖案從而制得的。最近，對線寬30nm以下的半導體器件采用的是利用超臨界流體對基板進行干燥的超臨界干燥工藝(supercritical?drying?process)。超臨界流體作為在臨界溫度和臨界壓力以上時同時具有氣體和液體的性質的流體，由于擴散力和滲透力出色，溶解力高，且幾乎沒有表面張力，因此能夠非常有效地應用在基板干燥中。

但是在進行這種超臨界工藝的工藝室需要能夠維持高壓的超臨界狀態。這樣，在進行高壓狀態的工藝后，當工藝室內部的壓力與外部壓力相同時，打開工藝室。但是同外部壓力相同后如果馬上打開工藝室，則導致在沒有充分排放工藝室內殘留的二氧化碳及有機溶劑的殘留物等的狀態下就打開了工藝室。由此二氧化碳及有機溶劑殘留物通過室門排放到工藝室外部。這種二氧化碳及有機溶劑殘留物污染工藝室的外部環境，通過微粒作用，影響后續工藝。

發明內容

本發明要解決的技術問題

本發明的目的之一在于提供一種使機殼內逆污染最小化的基板處理裝置。

本發明所要解決的技術問題并不限于上述問題，本發明所述技術領域的具有通常知識的技術人員能夠從說明書及附圖清楚地理解沒有言及的技術問題。

技術方案

本發明提供基板處理裝置。

本發明的一實施例的基板處理裝置包括：對基板實施預定工藝的工藝室；測量所述工藝室內的壓力的壓力測量儀；接收所述壓力測量儀測量的壓力值，并決定所述工藝室的內部的打開時間的控制器；所述控制器可從所述工藝室內壓力值達到預先設定的打開壓力的一刻開始，并達到設定條件時，打開所述工藝室內部。

所述預定工藝為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，所述設定條件可以為從到達所述打開壓力的一刻開始經過設定時間。

所述設定時間可以為大約1秒以上大約60秒以下的時間。

所述打開壓力可以為與常壓相同的壓力。

所述基板處理裝置還可包括將所述工藝室內部的氣體向所述工藝室的外部排放的第一排放線。

所述基板處理裝置還包括：在所述第一排放線上分岔的第二排放線；設置在所述第二排放線上的減壓泵，所述控制器從所述工藝室內壓力值到達預先設定的所述打開壓力的一刻開始進行控制，使所述減壓泵排出所述工藝室內部的所述氣體。

所述控制器在所述工藝室內壓力值下降到比所述打開壓力低的壓力后，當重新上升到所述打開壓力時，打開所述工藝室內部。

所述預定工藝可為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，所述設定條件為在下降到比所述打開壓力低的壓力后，再重新上升到所述打開壓力。

所述開發壓力可以為與常壓相同的壓力。

所述基板處理裝置還可包括將所述工藝室內部的氣體向所述工藝室的外部排放的第一排放線。

所述基板處理裝置還包括：在所述第一排放線上分岔的第二排放線；設置在所述第二排放線上的減壓泵，所述控制器從所述工藝室內壓力值到達預先設定的所述打開壓力的一刻開始進行控制，使所述減壓泵排放所述工藝室內部的所述氣體。

另外，本發明提供基板處理方法。

本發明的一實施例的基板處理方法，在工藝室內工藝完成后打開所述工藝室內部，所述打開工藝室內部是通過測量所述工藝室內部壓力，從所述工藝室內部壓力值到達預先設定的打開壓力的一刻開始，并達到設定條件后才進行的。

所述預定工藝為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，所述設定條件為從到達所述打開壓力的一刻開始經過設定時間。

所述設定時間為大約1秒以上大約60秒以下的時間。

所述開發壓力可以為與常壓相同的壓力。

當所述工藝室內部壓力值下降到比所述打開壓力低的壓力后，再重新上升到所述打開壓力時，打開所述工藝室內部。

所述預定工藝為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，所述設定條件為在下降到比所述打開壓力低的壓力后，再重新上述到所述打開壓力。

所述開發壓力可以為與常壓相同的壓力。

有益效果

根據本發明的一個實施例，能夠提供一種使機殼內逆污染最小化的基板處理裝置。

本發明的效果并不局限于上述效果，本發明所述技術領域的具有通常知識的技術人員能夠從說明書及附圖清楚地理解沒有言及的效果。

附圖說明

圖1為本發明的一個實施例的基板處理裝置的示意圖；