[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

在審

• 申請號: 201410720206.1
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN104681426A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 鄭仁一;金禹永;李映一;金鵬
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

對基板實施預定工藝的工藝室；

測量所述工藝室內的壓力的壓力測量儀；及

接收所述壓力測量儀測量的壓力值，并決定所述工藝室內部的打開時間的控制器，

所述控制器在從所述工藝室內壓力值達到預先設定的打開壓力的一刻開始，并達到設定條件時，打開所述工藝室內部。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述預定工藝為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，

所述設定條件為從到達所述打開壓力的一刻開始經過設定時間。

3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述設定時間為大約1秒以上大約60秒以下的時間。

4.如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述打開壓力為與常壓相同的壓力。

5.如權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置還包括將所述工藝室內部的氣體向所述工藝室的外部排放的第一排放線。

6.如權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置還包括：

在所述第一排放線上分岔的第二排放線；

設置在所述第二排放線上的減壓泵，

所述控制器從所述工藝室內壓力值到達預先設定的所述打開壓力的一刻開始進行控制，使所述減壓泵排出所述工藝室內部的所述氣體。

7.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制器在所述工藝室內壓力值下降到比所述打開壓力低的壓力后，當重新上升到所述打開壓力時，打開所述工藝室內部。

8.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述預定工藝為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，

所述設定條件為在下降到比所述打開壓力低的壓力后，再重新上升到所述打開壓力。

9.如權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述打開壓力為與常壓相同的壓力。

10.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置還包括將所述工藝室內部的氣體向所述工藝室的外部排放的第一排放線。

11.如權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置還包括：

在所述第一排放線上分岔的第二排放線；

設置在所述第二排放線上的減壓泵，

所述控制器從所述工藝室內壓力值到達預先設定的所述打開壓力的一刻開始進行控制，使所述減壓泵排放所述工藝室內部的所述氣體。

12.一種基板處理方法，其特征在于，在工藝室內工藝完成后打開所述工藝室內部，所述打開工藝室內部是通過測量所述工藝室內部壓力，從所述工藝室內部壓力值到達預先設定的打開壓力的一刻開始，并達到設定條件后才進行的。

13.如權利要求12所述的基板處理方法，其特征在于，

所述預定工藝為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，

所述設定條件為從到達所述打開壓力的一刻開始經過設定時間。

14.如權利要求13所述的基板處理方法，其特征在于，所述設定時間為大約1秒以上大約60秒以下的時間。

15.如權利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，所述打開壓力為與常壓相同的壓力。

16.如權利要求15所述的基板處理方法，其特征在于，

當所述工藝室內部壓力值下降到比所述打開壓力低的壓力后，再重新上升到所述打開壓力時，打開所述工藝室內部。

17.如權利要求12所述的基板處理方法，其特征在于，

所述預定工藝為采用超臨界流體對基板進行處理的工藝，

所述設定條件為在下降到比所述打開壓力低的壓力后，再重新上述到所述打開壓力。

18.如權利要求17所述的基板處理方法，其特征在于，所述打開壓力為與常壓相同的壓力。