[發明專利]一種提高類金剛石薄膜sp3碳原子雜化鍵含量的方法

無效

• 申請號: 201410718601.6
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN104451541A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 孫鵬;張鋒;季一勤;劉華松;莊克文;冷健;楊明
• 申請（專利權）人: 中國航天科工集團第三研究院第八三五八研究所
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 劉東升;張宏亮

1.一種提高類金剛石薄膜sp³碳原子雜化鍵含量的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：鍍膜之前先對鍍膜基片進行清洗；

步驟二：鍍制DLC薄膜；在鍍膜過程中，預濺射時的離子源束壓控制在500V-1000V，預濺射后的離子源束壓控制在600-1200V。

2.如權利要求1所述的提高類金剛石薄膜sp³碳原子雜化鍵含量的方法，其特征在于，步驟一中，清洗步驟具體包括：

首先使用蘸有體積比為1：1的無水乙醇和乙醚的混合液的脫脂紗布擦拭基片；

隨后，使用蘸有鉆石粉的脫脂紗布對基片進行拋光；

最后，依次使用蘸有體積比為1：1的無水乙醇和乙醚的混合液的脫脂紗布和脫脂棉布擦拭基片，至基片擦拭干凈為止。

3.如權利要求1所述的提高類金剛石薄膜sp³碳原子雜化鍵含量的方法，其特征在于，步驟二中，鍍膜過程在真空室內完成，以純度為99.95％的石墨作為濺射靶材，以純度為99.999％的Ar作為離子源工作氣體，以純度為99.999％的CH₄氣體作為反應氣體。

4.如權利要求3所述的提高類金剛石薄膜sp³碳原子雜化鍵含量的方法，其特征在于，步驟一中，鍍膜的過程包括：將清洗后的基片放入真空室內，依次打開低真空泵和高真空泵抽真空，當真空室內壓強降至2×10^-3Pa以下時，向離子源和中和器內充入Ar，流量分別控制在20-45sccm之間以及5-10sccm之間，啟動中和器和離子源，對石墨靶進行預濺射，離子源束壓控制在500V-1000V，束流控制在300mA以內，時間為2-10min。

5.如權利要求4所述的提高類金剛石薄膜sp³碳原子雜化鍵含量的方法，其特征在于，步驟二中，鍍膜的過程進一步還包括：預濺射后調節離子源束壓為600-1200V，束流為300-400mA，向真空室通入反應氣體CH₄，流量在0-64sccm之間，真空室壓強在8×10^-2Pa以下；當離子源工作狀態穩定后，將基片轉動至鍍膜區，啟動自轉系統，淀積DLC薄膜，鍍膜時間為2-6小時。