[發(fā)明專利]GaN微晶及其合成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410713474.0
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN104445108A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋友庭;陳小龍;孫偉;甘弟;許燕萍
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號: C01B21/06
• 分類號: C01B21/06;C30B1/10;C30B29/40
• 代理公司: 北京智匯東方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11391
• 代理人: 范曉斌;康正德

1.一種GaN微晶的合成方法，包括以下步驟：

將分別獨立存在的金屬Li和金屬Ga作為原料，其中，所述金屬Li和金屬Ga的摩爾比為1:1～1:10；

將所述金屬Li和金屬Ga置于高純氮氣氣氛下加熱至415～575℃的預(yù)定溫度，然后在所述預(yù)定溫度下保持預(yù)定時間，得到所述GaN微晶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述金屬Li和金屬Ga的摩爾比為1:1～1:3.5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的合成方法，其特征在于，所述高純氮氣氣氛由流動的氮氣形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的合成方法，其特征在于，所述加熱的升溫速率為3～5℃/分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的合成方法，其特征在于，所述預(yù)定時間為12～72小時，優(yōu)選為24～48小時。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的合成方法，其特征在于，所述高純氮氣氣氛的壓力為1～2atm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的合成方法，其特征在于，還包括采用濃鹽酸對反應(yīng)后的產(chǎn)物進(jìn)行浸泡并采用去離子水清洗的步驟；所述濃鹽酸的濃度為12～15mol/L。

8.一種GaN微晶的合成方法，包括以下步驟：

將分別獨立存在的金屬Li和金屬Ga作為原料，置于坩堝中；所述金屬Li和金屬Ga的摩爾比為1:1～1:10；

將所述坩堝置于密閉的爐體內(nèi)，對爐體抽真空使其真空度≤5×10^-3Pa；

在室溫下向所述爐體內(nèi)通入高純氮氣，以向所述爐體提供呈流動或封閉狀態(tài)的氮氣氣氛，并保持爐體內(nèi)的氣壓為1～2atm；

將爐體以3～5℃/分鐘升溫至415～575℃，并恒溫12～72小時；以及

將爐體自然冷卻至室溫，取出坩堝，并采用濃鹽酸和去離子水依次對坩堝內(nèi)的產(chǎn)物進(jìn)行浸泡和清洗，烘干后得到GaN微晶。

9.一種GaN微晶，采用權(quán)利要求1-8中任一項所述的合成方法制備而成。