[發(fā)明專(zhuān)利]一種測(cè)量納秒脈沖電流的羅氏線圈在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410707572.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104459276A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 解江遠(yuǎn);何鵬軍;張帆;王嘉煜;王亞杰;金兆鑫;蔣丹;荊曉鵬;趙程光;李奇微 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安電子工程研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R19/00 | 分類(lèi)號(hào): | G01R19/00;H01F17/04;H01F27/36 |
| 代理公司: | 西北工業(yè)大學(xué)專(zhuān)利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 710100 *** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 測(cè)量 脈沖 電流 線圈 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種測(cè)量納秒脈沖電流的羅氏線圈,是一種通過(guò)改進(jìn)一般羅氏線圈的感應(yīng)線圈,積分電阻從而減小羅氏線圈本身的自激震蕩,改善其相應(yīng)頻率,從而實(shí)現(xiàn)測(cè)試納秒脈沖電流。
背景技術(shù)
隨著脈沖功率技術(shù)的發(fā)展,高壓脈沖信號(hào)的上升沿越來(lái)越快,對(duì)脈沖測(cè)量的要求也越來(lái)越高,脈沖電流的測(cè)量一般采用同軸分流器或羅氏線圈。而羅氏線圈具有無(wú)源,且和測(cè)試設(shè)備無(wú)直接電氣接觸的優(yōu)點(diǎn)得到了廣泛應(yīng)用。
目前微秒級(jí)的電流信號(hào)測(cè)量常用外積分式羅式線圈,由于用于外積分式羅式線圈必須經(jīng)過(guò)一個(gè)RC積分回路,所以其測(cè)量的頻率相應(yīng)受到限制,在納秒級(jí)電流信號(hào)的測(cè)量中很難應(yīng)用。自積分羅氏線圈的頻率相應(yīng)高,是測(cè)量微秒亞微秒電流的理想手段。但是采用一般的自積分羅氏線圈測(cè)量納秒脈沖電流會(huì)存在一些問(wèn)題。其主要存在的問(wèn)題有:
1、感應(yīng)線圈的電感和寄生電容較大,容易產(chǎn)生自激震蕩。
2、積分電阻寄生電感,電容較大使測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生失真。
3、輸出信號(hào)電壓脈沖幅值較高,達(dá)到幾千伏。一般衰減器很難用于此類(lèi)信號(hào)的衰減。
基于這些因素,傳統(tǒng)自積分羅氏線圈很難測(cè)試納秒脈沖電流,需要對(duì)自積分線圈進(jìn)行特殊的設(shè)計(jì)才能用于納秒脈沖電流的測(cè)量。
MARX發(fā)生器放電電流具有前沿陡,前沿在幾個(gè)納秒,幅值大,電流幅值在幾千安培。一般的自積分羅氏線圈無(wú)法滿(mǎn)足測(cè)試要求。
發(fā)明內(nèi)容
要解決的技術(shù)問(wèn)題
為了避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,本發(fā)明提出一種測(cè)量納秒脈沖電流的羅氏線圈,解決脈沖功率技術(shù)中MARX發(fā)生器放電產(chǎn)生的納秒級(jí)電流的測(cè)量問(wèn)題。
技術(shù)方案
一種測(cè)量納秒脈沖電流的羅氏線圈,包括感應(yīng)線圈和積分電阻;其特征在于:所述感應(yīng)線圈包括超微晶磁芯和繞制在超微晶磁芯上的銅帶,超微晶磁芯和銅帶置于環(huán)狀屏蔽外殼內(nèi);所述積分電阻采用多個(gè)并聯(lián)的碳膜電阻,多個(gè)并聯(lián)的碳膜電阻置于屏蔽外殼內(nèi),屏蔽外殼上設(shè)有信號(hào)輸入和信號(hào)輸出端口;所述超微晶磁芯外纏繞絕緣膠帶。
所述多個(gè)并聯(lián)的碳膜電阻為3個(gè)以上。
所述安置超微晶磁芯和銅帶的環(huán)狀屏蔽外殼厚度為2mm。
所述銅帶的寬度為8mm,厚度為0.15mm。
所述安置碳膜電阻的屏蔽外殼的厚度為2mm。
所述積分電阻的取值范圍為10-100歐姆。
所述碳膜電阻采用2瓦的碳膜電阻。
有益效果
本發(fā)明提出的一種測(cè)量納秒脈沖電流的羅氏線圈,感應(yīng)線圈包括超微晶磁芯和繞制在超微晶磁芯上的銅帶,超微晶磁芯和銅帶置于環(huán)狀屏蔽外殼內(nèi);所述積分電阻采用多個(gè)并聯(lián)的碳膜電阻,多個(gè)并聯(lián)的碳膜電阻置于屏蔽外殼內(nèi)。
本發(fā)明與現(xiàn)有的自積分羅氏線圈比較,具有以下特點(diǎn):
1、磁芯采用響應(yīng)頻率更高的超微晶磁芯,用銅帶代替導(dǎo)線,減小導(dǎo)線自身的寄生電感和寄生電容。銅帶在磁芯上纏繞6匝。
2、積分電阻采用寄生電感較小的多個(gè)碳膜電阻并聯(lián),以此減少積分電阻本身的寄生電感,防止發(fā)生自激震蕩。由于在積分電阻端感應(yīng)的電壓較大,所以采用2W的碳膜電阻。積分電阻取10-100歐姆。
3、由于在積分電阻端感應(yīng)的電壓較高,衰減器采用耐壓達(dá)8千伏的脈沖衰減器,以此來(lái)衰減測(cè)試信號(hào)的電壓。
附圖說(shuō)明
圖1:納秒脈沖電流羅氏線圈組成圖
圖2:感應(yīng)線圈結(jié)構(gòu)圖
圖3:感應(yīng)線圈截面圖
圖4:積分電阻結(jié)構(gòu)
圖5:羅氏線圈電路原理圖
1-感應(yīng)線圈,2-積分電阻,3-脈沖衰減器,4-銅帶,5-屏蔽外殼,6-超微晶磁芯,7-碳膜電阻,8-電阻的屏蔽外殼,9、10-信號(hào)輸入輸出端口。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合實(shí)施例、附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
本發(fā)明實(shí)施例:納秒脈沖電流羅氏線圈主要由感應(yīng)線圈1,積分電阻2組成。測(cè)試時(shí),積分電阻2與脈沖衰減器3連接,測(cè)試電流A從感應(yīng)線圈正中心穿過(guò)。其組成圖如圖1所示。
其中感應(yīng)線圈包括三個(gè)部分,為超微晶磁芯6,銅帶4和屏蔽外殼5,屏蔽外殼的厚度為2mm。其具體組成如圖2所示。超微晶磁芯外纏繞絕緣膠帶,防止把銅帶短路。銅帶在磁芯外纏繞6匝,銅帶的寬度為8mm,厚度為0.15mm,銅帶之間用絕緣膠帶絕緣。
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