[發明專利]一種基于氧化鎵薄膜的單極型阻變存儲器及其制備方法在審
| 申請號： | 201410706693.6 | 申請日： | 2014-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN104409630A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 李培剛;郭道友;安躍華;吳真平;唐為華;汪鵬超;王順利;朱志艷 | 申請（專利權）人： | 浙江理工大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 浙江英普律師事務所 33238 | 代理人： | 陳小良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 氧化 薄膜 單極 型阻變 存儲器 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于氧化鎵薄膜的單極型阻變存儲器，其特征在于：由下電極、阻變層和上電極構成，阻變層為氧化鎵薄膜，氧化鎵的成分為Ga2O3-x，其中x為0.2—0.4，氧化鎵阻變層的厚度為250nm—350nm，上電極、下電極均為Pt金屬，上電極為點電極，直徑為200μm。
2.根據權利要求1所述的一種基于氧化鎵薄膜的單極型阻變存儲器，其特征在于：氧化鎵的成分為Ga2O3-x，其中x為0.3，氧化鎵阻變層的厚度為300nm。
3.根據權利要求1所述一種基于氧化鎵薄膜單極型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)以Pt/Ti/SiO2/Si為襯底，用粘有酒精的棉球擦洗干凈，自然晾干；
(2)將清洗干凈的Pt/Ti/SiO2/Si襯底用硅片擋住一部分，在襯底中未用硅片擋住部分采用激光脈沖沉積技術生長氧化鎵薄膜，具體操作參數如下：工作氣壓1×10-6Pa，襯底溫度300℃，靶基距5cm，激光能量4.5J/cm2—5.5J/cm2，激光頻率2Hz，激光脈沖次數5000下；
(3)將步驟(2)中制備的氧化鎵薄膜用掩膜板遮擋，采用射頻磁控濺射方法濺射一層厚度為150nm、直徑為200μm的Pt點電極作為上電極，濺射工藝條件如下：本底真空小于10-4Pa，襯底溫度室溫，工作氣氛為Ar氣，工作氣壓為0.8Pa,濺射功率為40W，濺射時間為5min。
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