[發明專利]含電子受體的量子棒復合物及含其的量子棒發光顯示裝置

在審

• 申請號: 201410705426.7
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN104680942A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 金奎男;金珍郁;金柄杰;金成祐;張慶國;金熙悅;禹成日
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種量子棒發光顯示裝置，包括：

具有多個像素區的第一基板；

在所述多個像素區中的每一個中的與多個第二電極交替布置的多個第一電極；

分別在所述多個像素區中的每一個中的多個量子棒復合物層，每個量子棒復合物層各自在所述多個第一電極和所述多個第二電極之上，所述量子棒復合物層中的每一個包括電子受體、以及具有芯體和包圍所述芯體的殼體的量子棒；

面對所述第一基板的第二基板；以及

照射所述第一基板的外表面的背光單元。

2.根據權利要求1所述的裝置，

其中所述多個量子棒復合物層分別在所述多個像素區中的每一個中被圖案化，

其中所述多個像素區包括分別發射紅色光、綠色光和藍色光的各自具有不同量子棒復合物層的第一區、第二區和第三區，

其中在所述第一區、所述第二區和所述第三區中的所述量子棒復合物層的所述量子棒具有不同尺寸。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中在所述多個像素區中的每一個中的所述量子棒沿一個方向布置使得所述量子棒中的每一個的長軸平行于所述一個方向。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述電子受體附連至所述量子棒。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述電子受體與所述量子棒相鄰。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中在各像素區中的所述多個第一電極和所述多個第二電極之間生成的可變電場控制所述裝置的灰度等級。

7.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

多條數據線和多條柵極線，所述多條數據線與所述多條柵極線交叉以分別限定所述像素區；以及

多個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管在所述像素區中的每一個中并且連接至一條數據線和一條柵極線。

8.根據權利要求7所述的裝置，還包括在所述多個薄膜晶體管之上的鈍化層。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中所述多個第一電極和所述多個第二電極在所述鈍化層上，以及

其中在所述鈍化層上的黑矩陣對應于其中形成有所述多個薄膜晶體管中的每一個的所述多個像素區。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中所述背光單元包括光源、導光件和反射器，以及

其中所述光源發射波長小于450nm的光。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述量子棒復合物層構造為吸收來自所述背光單元的光輻射能量使得所述量子棒復合物層發出熒光。

12.一種量子棒復合物，包括：

具有芯體和包圍所述芯體的殼體的量子棒；

附連至所述量子棒的表面或與所述量子棒相鄰的電子受體；以及

溶劑。

13.根據權利要求12所述的復合物，其中所述電子受體包括在表面處的有機配體，以及

其中所述有機配體具有烷基三甲氧基硅烷作為基本結構。

14.根據權利要求13所述的復合物，其中所述烷基三甲氧基硅烷中的烷基具有C_nH_2n+1結構，其中n為3至20。

15.根據權利要求12所述的復合物，其中所述量子棒和所述量子棒的所述電子受體用作溶質，以及

其中所述溶質的含量為9wt％至11wt％。

16.根據權利要求15所述的復合物，其中所述電子受體在所述溶質中的含量為1wt％至10wt％。

17.根據權利要求12所述的復合物，其中所述量子棒的長軸與短軸的長徑比為8至12。

18.根據權利要求12所述的復合物，其中所述電子受體包括選自WO₃、ZnO、TiO₂和Fe₂O₃中的金屬氧化物。

19.根據權利要求12所述的復合物，其中所述量子棒包括在表面處的有機配體，以及

其中所述有機配體為脂溶性有機配體、水溶性有機配體或硅有機配體中之一。