[發明專利]一種環形PN結太陽能組件生產方法在審
| 申請號: | 201410704463.6 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN105702793A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 李向清 | 申請(專利權)人: | 江蘇愛多光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214423 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 環形 pn 太陽能 組件 生產 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種環形PN結太陽能組件生產方法。
背景技術
眾所周知,現有的光伏組件在絲印工藝中將電極印刷到單片的兩面,這樣的電極設置無論電極柵線做的如何細都會阻擋部分太陽光的入射;摻雜工藝中氣體攝入時機和種類不合理,影響了摻雜質量。現有技術急需一種能夠提高太陽光透射率的環形PN結太陽能組件生產方法。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術中存在的缺陷,提供一種能夠提高太陽光透射率的環形PN結太陽能組件生產方法。
為實現上述目的,本發明的技術方案是提供了一種環形PN結太陽能組件生產方法,其工藝包括清洗、摻雜、印刷、燒結、單片測試,光伏電池片正、負極的焊接,疊層,光伏電池組片檢測,層壓固化,組框的工藝過程;單片為圓形,沿所述單片中心向外設有相互間隔的P區和N區,所述P區和N區均為環形區域,P區和N區銜接部形成PN結;所述P區和N區環體寬度相同;所述P區和N區環體寬度為1~2mm。
作為優選地,在摻雜工藝中,先將承載單片的石英舟放入擴散爐,擴散爐升溫過程中在爐管內通過氮氣用于防止單片氧化,當擴散爐升溫至反應溫度時通入POC13,當摻雜完畢時停止輸入POC13,通過趨入反應進一步擴散。
本發明的優點和有益效果在于:通過本發明所述的工藝可以提高太陽光透射率,同時優化了摻雜工藝。
具體實施方式
下面結合實施例,對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。
一種環形PN結太陽能組件生產方法,其工藝包括清洗、摻雜、印刷、燒結、單片測試,光伏電池片正、負極的焊接,疊層,光伏電池組片檢測,層壓固化,組框的工藝過程。
單片為圓形,沿所述單片中心向外設有相互間隔的P區和N區,所述P區和N區均為環形區域,P區和N區銜接部形成PN結;所述P區和N區環體寬度相同;所述P區和N區環體寬度為1~2mm。
在摻雜工藝中,先將承載單片的石英舟放入擴散爐,擴散爐升溫過程中在爐管內通過氮氣用于防止單片氧化,當擴散爐升溫至反應溫度時通入POC13,當摻雜完畢時停止輸入POC13,通過趨入反應進一步擴散。
上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為發明的保護范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





