[發明專利]一種彎曲電極太陽能組件生產工藝在審
| 申請號: | 201410704330.9 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN105702788A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 李向清 | 申請(專利權)人: | 江蘇愛多光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/048;H02S30/10 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 彎曲 電極 太陽能 組件 生產工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種彎曲電極太陽能組件生產工藝。
背景技術
眾所周知,現有的光伏組件在絲印工藝中將電極印刷到單片的兩面,這樣的電極設置無論電極柵線做的如何細都會阻擋部分太陽光的入射;同時在層壓工藝中疊層間夾有氣泡。這樣的設計是不利于提高太陽光的透射率的。且現有的框體固定方式效率低,結構不合理。現有技術急需一種能夠提高太陽光透射率的彎曲電極太陽能組件生產工藝。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術中存在的缺陷,提供一種能夠提高太陽光透射率的彎曲電極太陽能組件生產工藝。
為實現上述目的,本發明的技術方案是提供了一種彎曲電極太陽能組件生產工藝,其特征在于:其工藝包括清洗、摻雜、印刷、燒結、單片測試、光伏電池片正、負極的焊接、疊層、光伏電池組片檢測、層壓固化、組框的工藝過程。通過本發明所述的工藝可以提高太陽光透射率,同時縮短了單件組框的時間,連接牢靠,框架四周的垂直度高,極大地方便了光伏電池方陣的拼裝,提高工作效率,減小氣泡產生,提高了光伏電池組件的質量。
作為優選地,在印刷工藝中,單片同一面上兩側邊緣設置有正電極和負電極;所述正電極上設有正電極延伸線,所述正電極延伸線沿正電極向單片的異端延伸,所述負電極上設有負電極延伸線,所述負電極延伸線沿負電極向單片的異端延伸;所述負電極延伸線和正電極延伸線間隔設置;所述正電極和負電極均呈弧形;所述負電極延伸線和正電極延伸線呈曲線。
作為優選地,所述的層壓固化,為合蓋前上窒抽真空--—合蓋后下窒抽真空--—下窒升溫--—上窒進氣層壓--—下窒進氣冷卻或通水冷卻工作臺面--—上窒抽氣--—烘箱固化的工藝過程;上窒抽真空氣壓范圍在-0.02Mpa~-0.05Mpa之間。
作為優選地,所述的組框采用帶阻尼齒的角連接件與中空金屬條通過組框機或組角機進行組框。
作為優選地,組框的組框機或組角機的工作壓力在6Mpa~20Mpa之間。
作為優選地,固化的溫度在130℃~145℃之間,固化時間在15min~30min之間。
作為優選地,在光伏組件層壓固化前對光伏組件中EVA膜接觸的背板表面進行等離子處理,以提高背板與EVA膜的粘結性能,等離子處理機的氣體發生腔體內工作氣體的濃度為99.99%;等離子處理機的放電頻率為300~4650Hz;等離子處理的時間為0.1~2s。
作為優選地,對與光伏組件中EVA膜接觸的背板表面進行等離子處理,以提高背板與EVA膜的粘結性能,然后按玻璃、EVA膜、電池片、EVA膜、背板順序排放,背板被等離子處理過的一面和EVA膜接觸,之后進入層壓機層壓。
本發明的優點和有益效果在于:通過本發明所述的工藝可以提高太陽光透射率,同時縮短了單件組框的時間,連接牢靠,框架四周的垂直度高,極大地方便了光伏電池方陣的拼裝,提高工作效率,減小氣泡產生,提高了光伏電池組件的質量。
具體實施方式
下面結合實施例,對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。
一種彎曲電極太陽能組件生產工藝,其工藝包括清洗、摻雜、印刷、燒結、單片測試、光伏電池片正、負極的焊接、疊層、光伏電池組片檢測、層壓固化、組框的工藝過程。
在印刷工藝中,單片同一面上兩側邊緣設置有正電極和負電極;所述正電極上設有正電極延伸線,所述正電極延伸線沿正電極向單片的異端延伸,所述負電極上設有負電極延伸線,所述負電極延伸線沿負電極向單片的異端延伸;所述負電極延伸線和正電極延伸線間隔設置;所述正電極和負電極均呈弧形;所述負電極延伸線和正電極延伸線呈曲線。
所述的層壓固化,為合蓋前上窒抽真空--—合蓋后下窒抽真空--—下窒升溫--—上窒進氣層壓--—下窒進氣冷卻或通水冷卻工作臺面--—上窒抽氣--—烘箱固化的工藝過程;上窒抽真空氣壓范圍在-0.02Mpa~-0.05Mpa之間。
所述的組框采用帶阻尼齒的角連接件與中空金屬條通過組框機或組角機進行組框。
組框的組框機或組角機的工作壓力在6Mpa~20Mpa之間。
固化的溫度在130℃~145℃之間,固化時間在15min~30min之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





