[發明專利]一種MOCVD反應器在審
| 申請號: | 201410694026.0 | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN104498906A | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 羅才旺;魏唯;陳特超;劉欣;陳峰武 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強;李發軍 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mocvd 反應器 | ||
1.一種MOCVD反應器,包括旋轉支撐軸(11),裝在旋轉支撐軸(11)頂端的基片載盤(5),以及設置在基片載盤(5)下方的加熱組件;其特征在于,所述加熱組件為上下布置的多層加熱組件(14,15,16,17),相鄰兩層加熱組件(14,15,16,17)具有間隙,在所述加熱組件設有熱屏蔽組件(7)。
2.根據權利要求1所述的MOCVD反應器,其特征在于,多層加熱元件在水平面的投影形成實心圓形,該實心圓的直徑小于基片載盤(5)的外徑。
3.根據權利要求1所述的MOCVD反應器,其特征在于,所述加熱組件為上下布置的2~5層加熱組件(14,15,16,17)。
4.根據權利要求1所述的MOCVD反應器,其特征在于,所述加熱組件外周設有筒狀隔板(9),該筒狀隔板(9)的底端固定在反應器底板上。
5.根據權利要求1-4之一所述的MOCVD反應器,其特征在于,每層加熱組件包括多個位于中心的主加熱元件和位于外側的熱平衡加熱元件構成,同一層加熱組件中相鄰兩個主加熱元件之間、相鄰兩個熱平衡加熱元件之間,以及主加熱元件與熱平衡加熱元件之間電氣絕緣;多個所述熱平衡加熱元件整體呈環狀且具有共同的軸心線。
6.根據權利要求5所述的MOCVD反應器,其特征在于,每個主加熱元件和熱平衡加熱元件分別與各自獨立的加熱電源電連接。
7.根據權利要求5所述的MOCVD反應器,其特征在于,所述加熱組件下方設有水平隔熱板(17),所述主加熱元件和熱平衡加熱元件均通過支撐柱(12)裝在所述水平隔熱板(17)上;所述水平隔熱板(17)通過支撐元件裝在水冷板(21)上,所述水冷板(21)通過支撐柱(22)裝在反應器的底板上。
8.根據權利要求7所述的MOCVD反應器,其特征在于,所述水平隔熱板(17)有上下布置的2-10層,上下相鄰兩層之間通過隔離塊隔開。
9.根據權利要求1-4之一所述的MOCVD反應器,其特征在于,所述旋轉支撐軸(11)上部設有筒狀的熱平衡加熱組件(18)。
10.根據權利要求4所述的MOCVD反應器,其特征在于,所述筒狀隔板(9)的外徑小于所述基片載盤(5)的外徑。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





