[發(fā)明專(zhuān)利]嵌入式鍺硅器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410693124.2
• 申請(qǐng)日: 2014-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104409352A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鮑宇;周軍;朱亞丹;曾真
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種嵌入式鍺硅器件的制作方法，其特征在于，包括：

在一半導(dǎo)體襯底上依次形成柵極介電層、柵極；

在所述半導(dǎo)體襯底上由內(nèi)到外依次形成圍繞在柵極和柵極介電層的兩側(cè)的第一側(cè)墻和第二側(cè)墻；

以所述柵極、第一側(cè)墻和第二側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底的源/漏區(qū)以形成第一凹槽；

去除第二側(cè)墻，并以所述柵極和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕第一凹槽以及去除第二側(cè)墻后暴露出的半導(dǎo)體襯底以形成第二凹槽，所述第二凹槽的側(cè)壁為階梯狀；

在所述第二凹槽中嵌入鍺硅。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝形成第一凹槽和第二凹槽。

3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在刻蝕第一凹槽以及去除第二側(cè)墻后暴露出的半導(dǎo)體襯底以形成第二凹槽之前，熱處理所述半導(dǎo)體襯底，和/或，氧化處理所述半導(dǎo)體襯底并去除形成的氧化層。

4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述熱處理的溫度為600℃～1000℃，采用的工藝氣體為氫氣或惰性氣體。

5.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述氧化處理為爐管氧化處理。

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度大于

7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度為

8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的最大深度大于

9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的最大深度為

10.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為純硅襯底或者絕緣體上硅襯底。