[發明專利]屏蔽裝置及具有該屏蔽裝置的等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201410686564.5
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN105702548B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 林哲全
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種屏蔽裝置，應用于等離子體處理裝置，用于從由該等離子體處理裝置的等離子體源所產生的等離子體中選擇性地阻止帶電粒子通過，其特征在于，所述屏蔽裝置包括：

第一屏蔽板，設置于所述等離子體處理裝置的反應腔室內基座的上方，其中形成多個第一貫通孔，所述第一屏蔽板具有導電材料，所述導電材料上施加一直流偏壓；

導電組件，設置于所述反應腔室內、所述第一屏蔽板與所述等離子體源之間的等離子體分布區域且具有暴露于等離子體的表面；

測量組件，用于測量所述導電組件的表面所吸收的等離子體的電流；以及

控制組件，根據所述測量組件測量到的等離子體電流的極性控制所述直流偏壓的極性，以及根據所述測量組件測量到的等離子體電流的電流值計算并控制所述直流偏壓的偏壓值；其中當所述測量組件測量所述等離子體的電流為正離子電流時，所述控制組件控制所述直流偏壓的極性為正；當所述測量組件測量所述等離子體的電流為負電子電流時，所述控制組件控制所述直流偏壓的極性為負。

2.根據權利要求1所述的屏蔽裝置，其特征在于，還包括與所述第一屏蔽板平行設置的第二屏蔽板，所述第二屏蔽板中形成多個第二貫通孔，所述多個第二貫通孔與所述多個第一貫通孔不重疊或部分重疊。

3.根據權利要求2所述的屏蔽裝置，其特征在于，所述第二屏蔽板具有導電材料且所述導電材料上施加所述直流偏壓。

4.根據權利要求1所述的屏蔽裝置，其特征在于，所述導電組件設置于所述等離子體分布區域的多個位置，所述控制組件根據所述測量組件獲得的多個測量結果計算并控制所述直流偏壓的偏壓值及極性。

5.根據權利要求1所述的屏蔽裝置，其特征在于，所述導電組件貼設于所述第一屏蔽板上。

6.根據權利要求1所述的屏蔽裝置，其特征在于，所述第一屏蔽板為導電材料制成或在非導電材料表面涂覆導電涂層。

7.根據權利要求3所述的屏蔽裝置，其特征在于，所述第一屏蔽板和第二屏蔽板為導電材料制成或在非導電材料表面涂覆導電涂層。

8.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

等離子體源；

反應腔室，其包括用于載置基片的基座；以及

如權利要求1～7任一項所述的屏蔽裝置，所述屏蔽裝置的屏蔽板位于所述反應腔室內所述基座的上方。