[發(fā)明專利]內(nèi)陸干旱、冷涼地區(qū)鹽堿地玉米全膜覆蓋種植方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410683612.5
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104488493B
• 公開（公告）日: 2016-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李磊;張強(qiáng);王斌;馮悅晨;聶督;孫捷;黃高鑒;閆敏;溫東
• 申請（專利權(quán)）人: 山西省農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)環(huán)境與資源研究所
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00;A01G13/02;A01B79/02
• 代理公司: 太原華弈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 14108
• 代理人: 李毅

1.內(nèi)陸干旱、冷涼地區(qū)鹽堿地玉米全膜覆蓋種植方法，包括以下步驟：

1）化學(xué)改良

平整田地，田地周邊起壟，秋季撒施脫硫石膏500～3000公斤/畝、牛糞3～5方，并深耕入土，大水漫灌，每畝灌溉150～200m³，以蓄水壓鹽；

2）基肥施用

春播前，待土壟棱角干后施基肥，每畝施相當(dāng)于10～15公斤N、7～10公斤P₂O₅、5～8公斤K₂O的基肥，撒施后淺旋待種；

3）起壟覆膜

在田地內(nèi)起小壟和大壟，小壟大壟間隔排列，小壟底寬40cm、高10cm，大壟底寬70cm、高13cm，大壟、小壟均以地膜覆蓋，膜邊覆土寬度≥80mm、覆土厚度3～5cm；

4）擇期播種

待膜內(nèi)5～10厘米地溫達(dá)到10℃后，在大壟與小壟之間的溝內(nèi)播種，播深5～6cm，平均行距55cm，株距27～33cm，畝播3670～4400株，每株下籽2～3粒玉米種子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種植方法，其特征是所述步驟1）中，田地周邊起壟的高度為30～40cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種植方法，其特征是所述步驟1）中，撒施脫硫石膏和牛糞后深耕的翻耕深度不少于40cm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種植方法，其特征是對于重度鹽堿地，每畝撒施脫硫石膏2000～3000公斤、牛糞3～5方；對于中度鹽堿地，每畝撒施脫硫石膏1000～2000公斤、牛糞2～3方；輕度鹽堿地每畝撒施脫硫石膏500～1000公斤、牛糞2～3方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種植方法，其特征是當(dāng)5～10厘米地溫達(dá)到10℃時(shí)，所述起壟、覆膜與播種一次性完成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種植方法，其特征是當(dāng)5～10厘米地溫未達(dá)10℃，先起壟覆膜保墑增溫，待膜內(nèi)5～10厘米地溫達(dá)到10℃，再進(jìn)行播種。