[發明專利]一種銪摻雜的硼酸釔薄膜的發光性能的調控方法有效
| 申請號: | 201410682116.8 | 申請日: | 2014-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN104371720A | 公開(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發明(設計)人: | 年洪恩;周園;吳志堅;孫慶國;李翔;申月;海春喜;任秀峰;曾金波;董歐陽;云強;李松;張立娟 | 申請(專利權)人: | 中國科學院青海鹽湖研究所 |
| 主分類號: | C09K11/78 | 分類號: | C09K11/78 |
| 代理公司: | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人: | 王宇楊;楊青 |
| 地址: | 810008*** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 摻雜 硼酸 薄膜 發光 性能 調控 方法 | ||
技術領域
本發明涉及稀土化學合成領域,具體涉及一種銪摻雜的硼酸釔薄膜的發光性能的調控方法。
背景技術
稀土正硼酸鹽(REBO3)在真空紫外光譜區具有很好的透明性和高的損傷閾值,是重要的VUV熒光材料基質。例如,YBO3:Eu3+在VUV光譜區有強的吸收和很好的發光效率,是目前最好的紅色VUV熒光材料之一。人們常用固相反應在高溫條件下制備YBO3:Eu3+,其特征發射是以5D0→7F1(591nm)為主的橙色發射,而5D0→7F2(612nm)的紅色發射相對較弱,色純度不好。納米發光材料受表面效應的影響,表面原子所處的晶場與內部的原子不同,對稱性降低,就有可能產生與體相材料不一樣的發射光譜。
目前主要通過脈沖激光沉積法、電子束蒸發、固相反應法、噴霧熱解法、燃燒法和水熱合成等方法來進行稀土正硼酸鹽的合成。但是,這些方法存在有設備復雜、程序繁瑣、成本高、反應溫度高、成分不易控制等缺點,亟待改進。
發明內容
本發明針對現在的YBO3:Eu3+納米材料的諸多研究工作提出一種溶膠-凝膠浸漬提拉鍍膜法制備YBO3:Eu3+納米材料,本發明具有設備簡單、低成本、反應溫度低、化學成分易控制、發光光譜可調控的優勢。
本發明提供的銪摻雜的硼酸釔薄膜的制備方法包括如下的步驟:
1、水溶性釔鹽、水溶性銪鹽、硼酸和醇的水溶液混合,所述醇和水混溶;
優選的,所述銪鹽為六水合硝酸銪,所述釔鹽為六水合硝酸釔,所述醇類溶劑為甲醇、乙醇或異丙醇。
更優選的,所述銪鹽、釔鹽和硼酸的質量比為10~15:1~5:1:8。對于本發明而言,硼酸的加入量應當保證至少相對于金屬離子過量。
更優選的,所述醇類溶劑為乙醇,所述溶劑的量應當根據體系內的物質量而變化,一般而言其和溶劑的質量比為1:40-60較為合適,本領域技術人員可以根據需要靈活調節混合體系的濃度。
2、向步驟2)得到的混合物中加入交聯劑和螯合劑;
優選的,所述螯合劑為檸檬酸,PEG(分子量為4000-6000)為交聯劑。
更優選的,所述H3BO3:CA:PEG的質量比為1~5.5:5~15:1~5。
3、步驟2)得到的混合物反應3~5h后靜置24~48h;
4、對硅底片進行鍍膜,鍍膜速率為0.88~1.52mm/s;
5、鍍膜后進行煅燒(200~600℃)、退火,得到YBO3:Eu3+薄膜。
與現有技術比較,本發明的優點在于:溶膠-凝膠浸漬提拉鍍膜法制備YBO3:Eu3+納米材料,具有設備簡單、低成本、反應溫度低、化學成分易控制、發光光譜可調控(橙色發光峰調弱、紅色發光峰紅移)的優勢。
附圖說明
圖1、YBO3:Eu3+薄膜PL光譜。
圖2、6次鍍膜的PL光譜。
圖3、3次鍍膜退火后的PL光譜。
具體實施方式
本發明通過如下的方法制備銪摻雜的硼酸釔薄膜:
1、以硝酸釔、硝酸銪、硼酸為原料,加入水-乙醇溶液中;
2、檸檬酸和PEG作為螯合和交聯試劑加入水-乙醇溶液中;
3、置于磁力攪拌器,持續攪拌5h后靜置24h;
4、清潔硅底片,并放置于浸漬提拉鍍膜機進行鍍膜;
5、鍍膜后置于馬弗爐中進行煅燒、退火,得到YBO3:Eu3+薄膜。
實施例1:
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