[發明專利]蒸發源、成膜設備及其成膜方法有效
| 申請號: | 201410670844.7 | 申請日: | 2014-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN104328377B | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發明(設計)人: | 張金中;秦向東 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/12;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人: | 許靜,黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒸發 設備 及其 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機器件制備技術領域,特別是涉及一種制備有機薄膜的蒸發源、成膜設備及其成膜方法。
背景技術
平板顯示包括液晶顯示(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)、OLED(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)顯示、等離子顯示(Plasma Display Panel,簡稱PDP)和電子墨水顯示等多種。其中,OLED顯示具有輕薄、低功耗、高對比度、高色域和可以實現柔性顯示等優點,是下一代平板顯示器的發展趨勢。
OLED顯示包括有源OLED和無源OLED顯示,其中,有源OLED顯示的制作工藝實現方式有LTPS(低溫多晶硅薄膜晶體管)背板+精細金屬掩膜(FMM Mask)形成OLED,和Oxide(氧化物薄膜晶體管)背板+白光OLED+彩膜。前者主要應用于小尺寸面板,對應手機和移動應用;后者主要應用于大尺寸面板,對應顯示器和電視等應用。現在LTPS背板+FMM Mask形成OLED的方式已經初步成熟,實現了量產。
精細金屬掩膜(FMM Mask)是通過蒸鍍方式將OLED材料按照預定程序蒸鍍到LTPS背板上,利用FMM Mask上的圖形,形成紅綠藍OLED發光器件。
目前蒸鍍工藝都利用線性蒸發源掃描的方式來完成,并且蒸發源是蒸氣產生部件和蒸發源部件合為一體的坩堝,坩堝的出氣面即為蒸鍍部件的蒸鍍面。線性蒸發源掃描方式就是在蒸鍍工藝中,坩堝從LTPS背板的一個側邊線性掃描至相對的另一側邊,完成在整個LTPS背板上蒸鍍OLED材料。
但是,由于坩堝的容量較小,隨著蒸發材料的持續消耗,同樣的溫度下,坩堝內的蒸氣壓不易控制,成膜均勻性受到飽和蒸氣壓不易控制、掃描速率均勻性等多個因素的影響,而且效率較低。同時,坩堝內的材料被持續蒸發,易造成材料的浪費。
發明內容
本發明提供一種蒸發源、成膜設備及其成膜方法,用以解決現有技術中隨著膜材的損耗,蒸發源的內部達不到飽和蒸氣壓,導致在基板上蒸鍍的膜層厚度不均勻的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種蒸發源,用于在待蒸鍍基板上蒸鍍膜層,其中,所述蒸發源包括蒸氣產生部件和蒸鍍部件,所述蒸鍍部件具有與所述基板的尺寸配合的蒸鍍面,所述蒸氣產生部件產生的蒸氣通過所述蒸鍍面蒸鍍到所述基板上,形成膜層。
本發明還提供一種成膜設備,采用權利要求如上所述的蒸發源。
本發明還提供一種采用如上所述的成膜設備進行成膜的方法,包括:
在蒸發源的蒸氣產生部件內裝載蒸發材料;
將蒸發源放入成膜設備的蒸鍍腔體內,對蒸鍍腔體進行抽真空;
對蒸發材料進行加熱;
將待蒸鍍基板和掩膜板通過預裝載腔體傳送至蒸鍍腔體內;
蒸氣產生部件產生的材料蒸氣通過蒸鍍面,在掩膜板的阻擋下進行蒸鍍,在待蒸鍍基板上形成所需的膜層圖形。
本發明的上述技術方案的有益效果如下:
上述技術方案中,蒸發源產生的蒸氣通過蒸鍍面蒸鍍到基板上,用以在所述基板上形成膜層,通過設置所述蒸鍍面與所述基板的尺寸配合,從而在蒸鍍過程中可以不用移動蒸鍍面,一次完成整個基板上的膜層蒸鍍,保證了在蒸鍍過程中,蒸鍍到整個基板上的蒸氣處于同一蒸氣壓下,成膜均勻。同時,本發明的技術方案還具有蒸鍍工藝時間短,生產效率高的優點。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1表示本發明實施例中蒸發源的結構示意圖;
圖2表示本發明實施例中蒸發源的剖視圖;
圖3表示本發明實施例中蒸發源在基板上蒸鍍膜層的過程示意圖。
具體實施方式
對于蒸鍍成膜工藝,現有技術中使用的蒸發源為坩堝,坩堝的出氣口即為蒸鍍面。在蒸鍍過程中,坩堝從待蒸鍍基板的一個側邊線性移動至相對的另一側邊,完成整個基板上的膜層蒸鍍。但是,由于坩堝的容量較小,隨著蒸發材料的持續消耗,同樣的溫度下,坩堝內的蒸氣壓不易控制,成膜均勻性受到飽和蒸氣壓不易控制、掃描速率均勻性等多個因素的影響,而且效率較低。
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